气体质量流量控制器是硅碳负极材料CVD包覆设备的核心产品

硅碳负极材料通常需要进行表面改性包覆来提升材料性能，通过化学气相沉积CVD包碳是包覆的主流手段。CVD装置需要用到稳定的控制气体的流量进气量，因此气体质量流量控制器的选择就很关键，需要与整套装置包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中控制。气体可直接送入反应室中。气体流量控制可使用质量流量计或针阀来实现。

气体质量流量控制器采用热式原理、气体的质量流量不受环境温度及压力的变化而变化。管状分流原理，便于更改量程，安装简易。良好的传感器封装，减少外部温度变化的敏感性。测量和控制的量程范围大，最大满量程可达3000ln/min.预热时间短、零飘小、测量和控制精度高，适用于微小流量的测量和控制。可通过二次仪表或者PLC与仪表进行通讯，操作简单。高精度：优于 1%。可测范围广,2～ 100%。响应时间快,优于1s。可用于多种气体。可提供编辑混合气体标定

化学气相沉积装置主要包含四部分，即反应室、加热系统、供反应气体系统、反应后气体处理系统。在化学气相沉积过程中，为了在晶片表面形成厚度均匀、质量较佳的薄膜，必须使得反应气体均匀的到达晶片表面，气体质量流量控制器为CVD装置提供反应气体由原料气体、氧化剂气体、还原剂气体以及将反应气体输送至反应室中的载带气体组成。原料气体可由气相、液相及固相三种形态提供。因此，气体质量流量控制器成为了硅碳负极材料CVD包覆设备的核心部件。