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来源:AUTOSEMO

11月30日,中汽创智首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET在积塔工厂正式下线。本款芯片采用平面栅型结构,具有独立自主的知识产权、自主设计的新型终端结构具有更高的工艺可靠性,在同等耐压水平下,体积更小,可应用于新能源汽车主驱逆变器等车载电源系统。

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中汽创智CEO李丰军、硬件系统开发部总经理林湖,积塔半导体执行董事李晋湘、总经理周华、副总经理刘建华,长沙金维信息技术有限公司董事长刘彦,西南集成电路设计有限公司副总经理陈隆章等出席了下线仪式,共同见证了中汽创智和积塔半导体的战略合作签约。

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李丰军表示,中汽创智承担着国家自主创新的历史使命,而第三代半导体SiC技术则是新能源汽车的关键核心领域。此次成功流片是实现芯片能力自主突破的里程碑事件,也预示着双方密切合作的良好开端。实现国产芯片的能力自主必将充满艰难与挑战,中汽创智愿与上下游产业链通力合作,逐步树立起芯片自主能力落地的标杆,成为产业合作的优秀典范。

首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET成功下线,标志着中汽创智“中国芯”战略迈上新台阶。中汽创智通过以SiC模块为切入点,快速形成SiC功率模块封装、测试能力和基于SiC技术的车载集成电源系统开发能力,逐步建立起从上游芯片设计、模块封装,到下游应用支持的“一站式” 能力。此次与积塔半导体正式签署战略合作,进一步拉通了第三代半导体上下游资源,为中汽创智稳步实施虚拟IDM战略,实现车规级芯片自主研发和制造奠定坚实基础。

未来,中汽创智自主研发的1200V 40mΩ及80mΩ SiC MOSFET等产品将陆续与积塔半导体进行深度合作。中汽创智与积塔半导体等汽车芯片产业链优质资源将始终坚持强强联合、优势互补,以追求、引领行业趋势为发展方向,加速实现国产芯片的战略目标。