2026年以来，全球半导体行业正经历由AI驱动的盈利超级周期。美光将2026年资本开支上修至250亿美元、2027年剑指350亿美元；SK海力士斥资80亿美元提前锁定ASML光刻机产能；三星2026年资本开支计划超110万亿韩元（约733亿美元）创历史新高。全球存储大扩产已全面启动。
在“全球存储扩产+国产替代加速+先进封装升级”三重共振下，半导体设备产业链订单有望爆发式增长。半导体设备ETF（159516）盘中V形反弹，大涨超3%，覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、测试等关键环节，是布局本轮扩产周期的高效工具。
事件驱动：美光/海力士/三星集体上修资本开支，全球存储大扩产刚刚进入加速期
5月以来，全球存储三巨头密集释放扩产信号。美光将2026财年资本开支从200亿美元上修至250亿美元，并指引2027年超350亿美元，两年近乎翻倍。SK海力士于3月宣布斥资11.95万亿韩元（约80亿美元）向ASML采购EUV光刻机，用于清州和龙仁基地的HBM与先进DRAM量产，设备承诺于2027年底前交付。三星则计划2026年投入超110万亿韩元（约733亿美元）用于研发和基建，同比增长21.7%，同时重启平泽P5工厂建设。
存储市场的超级周期已由AI彻底改写。兴业证券研报指出，根据TrendForce数据，2025年全球存储市场规模约2354亿美元，预计2026/2027年将跃升至5516亿美元/8427亿美元，两年超三倍增长。若考虑近期合约价超预期上涨（2026Q2传统DRAM合约价预计再涨58%～63%，NAND涨70%～75%），2027年全球存储市场有望触及万亿美元量级。保守假设20%的资本开支/收入占比，2026年和2027年全球存储资本开支将分别达到1103亿美元和1685亿美元，分别同比增长63%和53%。
长协模式重塑行业资本开支逻辑。三星、SK海力士已放弃年度乃至季度合约，要求主要客户签订3至5年长期供应协议（LTA）。这一转变的意义在于：需求能见度从季度拉长至数年，价格与盈利波动收敛，资本开支从“周期驱动”转向“长需锁定+技术迭代”双驱动。设备订单的可见性、持续性大幅提升。
国产存储追赶空间巨大。当前国产存储全球市占率不足5%。兴业证券测算，若国产NAND实现自给（按中国大陆30-35%需求占比），相较2026年产出水平仍有3.9-4.6倍扩产空间；DRAM除去HBM和AI服务器需求后亦有近4倍增长空间。
产业纵深：AI驱动HBM与先进封装，设备价值量跃升
AI算力需求的增长已远超摩尔定律的线性预期。HBM作为GPU内存带宽的核心瓶颈，单颗价值量持续攀升。英伟达B200中HBM成本达2720美元/颗，占比约42%。与此同时，3D NAND向300层以上迈进，TSV（硅通孔）、混合键合等先进封装技术成为性能提升的关键。
先进封装成为“后摩尔时代”的战略制高点。东吴证券指出，后摩尔时代先进封测重要性日益提升。HBM等2.5D/3D封装涉及TSV刻蚀、薄膜沉积、减薄、混合键合等前道图形化设备。Yole数据显示，2024年全球先进封装市场规模约460亿美元，同比增长19%，预计2030年超794亿美元，其中2.5D/3D互连类细分市场CAGR约37%，远超行业均值。
国内封测企业加速突破，设备国产化迎来窗口。长电科技、通富微电、盛合晶微等已深度适配昇腾、海光等国产算力芯片的先进封装需求。上游设备端，拓荆科技的混合键合设备瞄准Xtacking/3D DRAM/HBM前沿应用，芯源微的涂胶显影和键合机进入验证，华海清科的减薄机在存储客户持续放量。随着国产HBM实现0-1突破，先进封装设备的订单弹性将显著放大。
设备端竞争格局：强者恒强，毛利率无需担忧。兴业证券分析，2010年以来ASML、应用材料、泛林等全球设备龙头毛利率和净利率均稳步上行，并未出现周期性下滑。核心原因在于：半导体产线投资额随制程指数级抬升（3nm产线每万片月产能投资约43亿美元），“一代工艺、一代设备”造就极强的客户粘性。国内设备公司2025年合计研发投入已达143.3亿元，研发壁垒坚实。当前行业处于资本开支上行期，客户核心诉求是“保交付”而非压价格，毛利率有望保持坚挺或上行。
半导体设备ETF（159516）——一键布局扩产周期核心环节
在全球存储大扩产、国产替代加速、先进封装升级的三重共振下，半导体设备板块正迎来订单与业绩的戴维斯双击。无论是前道刻蚀、薄膜沉积，还是后道测试、先进封装，各环节均处于高景气通道。
半导体设备ETF（159516）跟踪中证半导体设备指数，成分股覆盖核心设备公司，全面覆盖从晶圆制造到先进封装的关键环节。相较于个股投资，ETF可有效分散单一技术路线和客户验证风险，同时把握行业整体β收益。
在存储扩产刚刚进入加速期、国产替代空间仍有数倍之遥的当下，半导体设备ETF（159516）是投资者布局本轮超级周期的优选工具。
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