前言
德州仪器（TI）近日宣布，其位于日本会津的工厂已全面启动基于氮化镓（GaN）技术的功率半导体生产。通过对内部制造能力的持续扩展，TI成功实现了GaN产能的四倍增长，为全球市场提供更多高性能电源解决方案。
业界领先的GaN制造能力
目前，TI在全球范围内的两座晶圆工厂（美国达拉斯和日本会津）已全面投入GaN芯片量产，并在内部实现了从关键制程到核心技术的全方位掌控。这种垂直整合的模式使TI能够高效扩展产能，同时确保产品质量与制造成本的显著优化。
TI技术与制造集团高级副总裁Mohammad Yunus表示：“基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识，TI已成功验证了 8 英寸 GaN 技术并将开始大规模生产。这种 GaN 制造方式在目前阶段拥有显著的可扩展性和成本优势，颇具里程碑意义。预计到 2030 年，TI的自有制造产能将增至 95% 以上，同时实现从多个工厂供货，从而确保TI全系列高功率、高能效GaN半导体产品的稳定供应。”
此外，TI成功验证了其基于12英寸（300毫米）晶圆的GaN制造工艺，并启动了相关试点项目。与8英寸晶圆相比，12英寸晶圆每片能多生产2.3倍数量的芯片，技术和效率显著提升。这标志着TI在技术创新与制造效率提升方面迈出了重要一步，为未来全面转向12英寸晶圆技术做好了准备。
GaN技术的独特优势
作为硅材料的理想替代方案，GaN技术在多个维度上展现出显著的性能优势。凭借优越的能效表现和超高开关速度，GaN材料显著缩小了系统设计的体积和重量，同时在高温、高压条件下依然保持卓越的稳定性和可靠性。TI的GaN解决方案以高度集成的设计简化客户开发流程，不仅提高了终端产品的可靠性和性能，还有效降低了系统的整体成本。
目前TI计划将GaN技术应用拓展至更高电压范围，起始电压为900V，并逐步推进至更高电压，以支持多元化的高能效应用场景。这些应用包括机器人技术、可再生能源系统以及下一代服务器电源等。此外，TI的GaN技术基于其专有的硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）工艺，经过超过8000万小时的可靠性测试，并集成多重保护机制，为高压系统提供更高的安全保障。
TI 高压电源部门副总裁Kannan Soundarapandian指出：“GaN技术使我们能够在更紧凑的系统中提供更高功率，满足客户对功耗优化与效率提升的核心需求。”
可持续制造与环境效益
TI采用了当前先进的GaN芯片制造设备，其新增产能可提升产品性能、制造工艺效率并带来成本优势。此外，TI在提升GaN产能过程中采用了更先进、更高效的机台，可以生产出体积更小但功率更大的芯片。这种设计创新可在制造中使用更少的水资源、能源和原材料，采用GaN芯片的终端产品也能拥有同样的环境效益。
充电头网总结
TI 凭借持续的技术投入与创新，不断推动GaN技术在全球范围内的广泛应用，在制造能力、产品性能和成本效率等方面取得了显著突破。通过采用先进的制造工艺和环保设计理念，TI不仅实现了技术层面的跨越，更在可持续发展领域树立了标杆，展现了其对社会责任的坚定承诺。
与此同时，TI 在12英寸功率GaN晶圆的开发上已做好充分准备。这一战略布局将进一步推动高能效、高功率密度电子产品的快速发展，为行业注入更多活力和创新可能。我们期待在未来，TI能够继续引领GaN技术的变革，开创更多令人瞩目的行业突破。