【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】吾拾微电子（苏州）有限公司（以下简称：吾拾微电子）
【候选奖项】年度技术突破奖、年度优秀创新产品奖
【候选产品】12英寸晶圆永久键合WPB-Heracles300、12英寸临时键合机WBR-APOLO300、12英寸激光解键合及清洗机 WDB-APOLO300
晶圆临时键合、晶圆激光解键合设备应用前景广阔。随着半导体元器件的不断小型化和集成化，对于超薄晶圆（厚度小于100μm）的需求变得愈发显著。
12英寸超薄器件晶圆，由于其自身柔性和易脆性以及在前道加工过程中容易出现翘曲、起伏和封装精度低等问题，导致其在后续工艺（背面减薄、光刻、刻蚀、金属图案化等）加工过程中容易受损，且物理结构和稳定性也会发生严重恶化。为了提高器件的良率、封装精度和成本效益，人们通常会采用一个载体晶圆（一般用硅、玻璃等衬底）作为临时支撑系统，将粘合剂与超薄器件晶圆暂时性地粘结在一起，以便顺利进行后续加工。当后续工艺全部完成后，再将临时支撑的载体晶圆与超薄器件晶圆分离，进而最终得到加工完成的完好超薄器件晶圆。
随着先进封装技术与3D集成的飞速发展，如今该技术已经发展成为面向大尺寸超薄晶圆的拿持与后道工艺加工处理的重要解决方案。
吾拾微电子（苏州）有限公司，是一家在半导体领域具有前瞻视野的创新型企业，专注于晶圆级键合解键合设备、键合胶及其配套材料的研发与销售，致力于为全球半导体客户提供一站式、高标准的系统解决方案，成功进入国内头部半导体企业的供应链体系。吾拾微电子始终坚持自主研发，拥有一支近20年晶圆级键合解键合经验的研发团队，凭借对半导体技术的深刻理解和持续创新，推动其在国内处于领先地位。
在主要产品方面，吾拾微电子提供晶圆级及板级涂胶、键合、解键合、清洗等临时键合全自动设备，晶圆级及板级永久键合设备：低温放电键合、熔融键合、TCB键合等，和键合胶及相关工艺整体解决方案等。
12英寸晶圆永久键合WPB-Heracles300（企业供图）
吾拾微电子推出的12英寸晶圆永久键合WPB-Heracles300键合腔温度最高550℃，最大键合压力100kN，键合真空度＜1×10-5mbar，实时对准精度≤±0.5µm，适用于300µm~1.5mm厚度单片晶圆，键合后晶圆总厚度≥4mm。
晶圆永久键合的主要目的是通过化学和物理作用将两块已镜面抛光的晶片紧密地结合起来并不再分开，以提升器件性能、降低系统功耗、尺寸与制造成本，并确保机械稳定和气密密封。该技术广泛应用于微机电系统（MEMS）、纳米机电系统（NEMS）、微电子学和光电子学等领域，保护敏感的内部结构免受环境影响，确保长期稳定性和可靠性。
同时，吾拾微电子凭借两款重磅产品入围候选2025 IC风云榜年度优秀创新产品奖。其推出的12英寸临时键合机WBR-APOLO300适用于12英寸晶圆，键合温度为室温至350℃，键合真空度≤1×10-5mbar，键合压力≥20kN；12英寸激光解键合及清洗机WDB-APOLO300适用于12英寸晶圆，处理最小晶圆厚度≥30um，多项指标达到或超过国际同类竞品水平。
12英寸临时键合机WBR-APOLO300（企业供图）
12英寸激光解键合及清洗机 WDB-APOLO300（企业供图）
在技术创新方面，吾拾微电子指出晶圆键合腔的设计需要考虑多个因素以确保键合过程的稳定性和可靠性。包括腔室的温度控制、真空度、外力施加方式以及键合介质的均匀涂覆等。温度控制需精确，以保证键合过程中温度的稳定性和均匀性；真空度则需达到一定标准，以避免气泡和镂空现象的产生；外力施加方式需合理，以确保键合层牢固可靠；键合介质的均匀涂覆也是关键，它直接影响到键合的效果。
关于晶圆键合腔材料的选择标准主要体现在材料的化学稳定性和兼容性、高热稳定性和低热膨胀系数、良好的机械性能和高洁净度和低污染性几个方面。
吾拾微电子先后荣获科技领军人才企业、国家级高新技术企业和专精特新中小企业等多项荣誉资质，且通过ISO9001质量认证，设备均符合SEMI S2等国际行业标准。
吾拾微电子表示，将秉承“诚信、谦和、正直、担当”的核心价值观，不断提升自身的研发能力和技术水平，为全球半导体客户提供更加优质、高效的产品和服务，为推动中国半导体产业的持续发展和壮大贡献自己的力量。
【奖项申报入口】
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
旨在表彰2024年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2024年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
技术的原始创新性（50%)；
技术或产品的主要性能和指标(30%)；
产品的市场前景及经济社会效益（20%）。
【年度优秀创新产品奖】
旨在表彰补短板、填空白或实现国产替代，对于我国半导体产业链自立自强发展具有重要意义的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，近一年内实现新产品的研发及产业化；
2、产品的技术创新性强，具有自主知识产权，产生一定效益，促进完善供应链自立自强。
【评选标准】
1、技术或产品的主要性能和指标（30%）；
2、技术的创新性（40%）；
3、产品销量情况（30%）。