机场里，美国调查员很兴奋地在一个中国女人身上搜查到一张6800美元的支票，试图以此要挟中国女人留在美国。然而，中国女人只是看着那张支票，淡淡地说：“扣吧，我还是要回中国”。
在这一年里，38岁的中国女性博士林兰英做出了一个重大决定，她放弃了在美国优越的研究条件和高薪职位，顶住了美国政府施加的压力，选择回国投身于我国半导体行业的发展，为国家贡献自己的力量。
林兰英在1957年归国后，立刻投身于中国科学院，开始了她在半导体材料领域的探索。面对国际专家的断言，中国至少要到60年代才能研制出硅单晶，林兰英并未在意。她带领团队，日以继夜地在实验室中努力研究。
果不其然，仅仅在林兰英归国后的第二年，中国就成功研制出了第一根硅单晶，使中国成为全球第三个掌握这一技术的国家，这一成就无疑是对那些质疑声音的有力回击。
林兰英并未止步于此。她又将研究方向转向了砷化镓，这是一个因为高熔点和强毒性而被外国科学家放弃的材料。
从1987年开始，林兰英专注于砷化镓单晶在太空环境下的生长研究。在接下来的三年中，她的实验研究取得了三次成功，并且她还额外研发出了半导体激光器，为中国的半导体科学研究开辟了新的道路。
正是她的坚持己见，让她成为了世界上最早的太空半导体材料砷化镓单晶的科学家。但是如果不是因为她少年时期的坚持，就不会有之后的林兰英。
1917年，林兰英出生在福建省莆田市。从小她就在学习上展现出了极强的天赋，再加上好学上进，小学到中学的这12年里，每学期都能拿第一。
那个时代，即便林兰英能读书很优秀，社会上也弥漫的是重男轻女的想法。她的母亲并不想让她读书，是她用一次又一次的争辩，一次又一次的坚持，以绝食反抗才让她的母亲松了口。
在1936年的金色秋天，林兰英以卓越的成绩考入了福建协和大学的物理系，她的学术才华在这里得到了充分的展现，以至于毕业后被留校任教，长达8年。
在这段时间里，她以其深厚的物理学知识，编写了一本名为《光学实验课程》的教科书，为后来的
学生们照亮了物理学的道路。
1949年，林兰英又在迪金森学院获得了数学学士学位。尽管她的导师希望她能继续深造，但她却选择了另一条道路。她渴望学习一个能够助力祖国发展的专业，于是，她选择了宾夕法尼亚大学的固体物理专业。
1951年，林兰英获得了硕士学位，但她并没有满足于此，而是继续了她的博士学业。1955年，她以一篇关于《离子晶体缺陷的研究》的论文顺利完成博士学位，成为了宾夕法尼亚大学首位博士学位获得者，也是该校历史上第一位女博士。
毕业后，林兰英渴望立即回国，但美国并不愿意轻易让她离开。由于短期内无法回国，林兰英加入了美国的索菲尼亚公司，担任高级工程师，专注于半导体材料的研究。
在索菲尼亚公司，林兰英全身心投入研究，学习最新技术。当时，公司的科学家们在硅单晶研究上遭遇连续失败。
在这个关键时刻，林兰英挺身而出，不仅找出了问题所在，还提出了有效的解决方案。在她的指导下，硅单晶最终研制成功。基于这次经历，林兰英撰写了一篇论文，并一经发表，该技术就被美国列为专利。
林兰英的一生是对学术追求和国家繁荣的不懈奋斗。她的坚持、勤奋、创新和无私精神，为我们树立了学习的典范。