这几天，中国光刻机制程突破，进入8纳米的新闻让人激动。
这确实是一个好消息，突破欧美日韩卡脖子，实现芯片自主生产可控确实让人兴奋。
但兴奋归兴奋，一些明白人也趁机站出来泼冷水：说此8纳米非彼8纳米，我们离光刻机自由还差着十万八千里。
唱衰之声因此渐起，这是很不好的。
基于此，童子想着稍微梳理下和朋友们讲清楚：这个突破到底是怎样一个突破，距离到底又是个怎样一个距离。
我们不急于尖叫，但也不至于妄自菲薄。
这几天工业信息化部发布了一份令人激动的目录，《“首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》，其中就包含了两台光刻机设备，让人兴奋和容易引起误会的就是那台氟化氩光刻机，标注的是套刻8纳米。
很多自媒体和读者因此产生误解，认为这套光刻机制程已经达到8纳米，实则不然。
套刻(overlay )8纳米，指的是在半导体制造过程中，使用光刻机进行多层图案化时，各层之间对准精度的指标。
就是说在制造过程中，需要在硅片的不同层上形成图案时，新一层的图案相对于前一层图案的位置偏差（即套刻误差）不超过8纳米。
听着晕，举个例子就清楚了：芯片是一层一层堆起来的，这就像盖大楼。
套刻错位误差不超过8纳米，就是说两层楼之间窗户开洞的位置误差不超过8纳米；而我们平时说的8纳米制程，其实关心的不是两层之间的窗户，而是每层楼里这个固定的面积里，到底有多能装，公摊大不大。
咱们就让每一层楼里人挤人、人挨人站着，那么每层楼里最多能装下多少人，是取决于每一个人的胖瘦，也就是那个真正的光刻制程了。
第一层没刻好，误差大了，胖子瘦子都有，只能放100个人进去，有效面积浪费了；下一层刻好了，误差小了，都是一个模子的瘦子，能放150人进去，有效面积合理利用了。
最完美的情况，肯定是能每一层都能放进去150个瘦子，瘦胖都一样，能刻出来一样的瘦子，每个瘦子都尽可能的瘦。
这就是我们真正关注的那个制程8纳米，这样说大家应该理解了吧。
现在的套刻8纳米和制程8纳米，有没有什么关系呢？到底相当于制程里的几纳米呢？
这是一个好问题。其实在芯片制造中，套刻精度与量产工艺之间确实存在一定的关系。
一般认为，套刻精度与量产工艺节点之间大约有1:3的关系。也就是说，如果套刻精度达到了8纳米，则理论上该光刻机可以支持制造24纳米左右的芯片。
24纳米可以实现，这就意味着28纳米就是保质保量完成了；而28 纳米制程，就是芯片中低端和中高端的分界线。
能做28纳米，它意味着国家工业可以独立了。中国生产的空调、洗衣机、电冰箱、汽车等各类工业品，可以突破西方国家设置的重重封锁，自主生产销售。
咱们以后买到的就都可以是纯血国产货了，产品售价可能会进一步下降。
还有一点，套刻这个技术并没有那么不堪。
精度不断提高，是有助于推动更先进工艺节点的研发与量产的，比如7纳米及以下的制程。
套刻精度不断提高意味着制程在一定程度上可以再来点提高。
这是一件极好极好的事情。
所以，中国光刻机突破套刻8纳米，我们既不应该急于尖叫，也不应该妄自菲薄。
平常心。静待中国半导体的崛起，再崛起，真正成为全球领先。