碳化硅功率半导体：800V车型标配，两年空间翻一倍

大家好，我是小胡。这期内容我们来聊碳化硅，并分享A股投资机会。

我们从20年开始跟踪第三代半导体材料碳化硅的商业化进程，至今已经第五年，我们确实感觉到新材料的商业化进程是缓慢的，但今年已经开始有碳化硅器件大规模上车的信号了，这点值得重视。

在上一章我们讲小米汽车的时候给大家提到，小米SU7全系配备碳化硅电控、碳化硅车载充电机和碳化硅压缩机，800V版本基于碳化硅高压平台，充电5分钟续航220km，15 分钟充电续航510km。

我们认为，高压快充表面看只是新能源车企打造的新车卖点之一，实际则是碳化硅器件渗透率加速提升和不断增长的市场规模。

我们看到，去年11月搭载了800V高压平台的智界S7率先发布，可实现充电五分钟增加200km续航的功能，之后极氪007、小鹏X9、理想Mega在内的多款800V车型也陆续发布。

再加上去年上半年发布的小鹏G6、阿维塔12、上汽智己LS6等车型，800V车型进入密集发布期，新能源车企开始把800V高压平台作为20万以上车型的标配，“充电五分钟续航百公里”已经成为新能源新车上市普遍的卖点。

800V车型与普通新能源车在配置上不同之处在于碳化硅器件的占比，目前400V普通车型碳化硅模块渗透率约10%；800V车型中碳化硅器件的渗透率从去年6月的15%迅速提升至今年1月的49%，肉眼可见的增长。

机构预计，24年全球800V车型渗透率有望达到11%，相较23年提升4%，对应碳化硅器件的市场规模提升空间将在50%以上。

随着国内车企加快超充站的建设，800V车型的渗透率可能会更快，比如华为就计划在24年底建设10万个液冷超快充，规划量较大，对800V车型的渗透有较大影响。

碳化硅是第三代半导体材料，和第一代硅材料相比，碳化硅的禁带宽度大约是硅的3倍，理论工作温度可达到400度以上，临界击穿场强大约是硅的10倍，能够耐受更高的电压，是制作耐高温、耐高压、耐高频、大功率器件的理想材料。

根据电阻率，可以分为导电性碳化硅和绝缘性碳化硅，导电型碳化硅主要用于制作功率器件，用于新能源车、光伏、工业等领域，绝缘性碳化硅用于制作射频器件，用于通信、雷达等领域，导电型的市场规模及增速都要好于绝缘性，本文只讨论导电型。

按照应用领域分，新能源车应用占比最大，超过60%，其次是能源和工业。

碳化硅从材料到器件，分为前段工艺和后段工艺，前段工艺主要是制作衬底和外延片，后段主要是