众所周知，芯片制造工艺非常复杂，牵涉到几百种材料、几百种设备，还有上千道工序。毫不夸张的说，半导体工艺，应该是全球最复杂的工艺，牵涉到的供应链也全球最复杂。
而在这些供应链中，美国垄断了EDA、半导体设备，日本垄断了半导体材料，荷兰垄断了光刻机……而我们在供应链中，并不占优势，所以美国针对中国芯片产业，进行了围堵封锁。
在这样的情况之下，我们必须要做的事情就是，建立国产供应链，慢慢减少对外依赖。
而这个国产供应链中，半导体设备是必不可少，且非常重要的一环，因为美国禁令之下，针对半导体设备的限制越来越严，从之前的7nm，限制到了14nm，甚至有些奔40nm去了。
那么问题就来了，目前情况之下，如果只使用国产设备，不依赖美国、日本、荷兰等国外的设备，我们究竟能生产多少纳米的芯片？
芯片制造分为三个主要步骤，晶圆制造，前道工序，后道工序。
晶圆制造这一块，不用多说，指的是从砂子变成硅晶圆的过程，这一块我们能够利用国产设备，制造出300mm的硅晶圆出来，而300mm晶圆，可以用于2nm、1nm，所以这一块不用太去考虑。
重点是前道工序，这里指的是将芯片电路图，通过光刻的手法，刻录到硅晶圆上，需要用到光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入等过程，而主要的、核心的半导体设备，也主要使用在这一个过程中。
如上图所示，这些产导体设备中，国产的技术水平参差不齐，最先进的刻蚀机等，实际达到了5nm，甚至是3nm，但有些还处于14nm，有些在28nm，甚至还有在65nm的。
遵循木桶理论，实际水平取决于最短的那一块，也就是光刻机，所以如果只使用国产设备，理论上最高也就是65nm的水平。
但这还只是理论水平，还牵涉到实际应用，包括这些设备的配套，生产线的调整、甚至生产控制软件等，能不能达到65nm，还是未知数……
再说说后道工序，这一块其实是封装测试这一块，这一块相对也不是那么的核心，且国内在封测上一直处于全球顶尖水平，也不用太过于紧张。
可见，综合起来看，理论上来讲，只使用国产设备，不依赖任何进口，国产半导体应该是65nm左右的水平，但实际应用下，能达到多少，谁也不清楚，但应该不会比65nm更强。
65nm应该是不够的，但如果达到7nm，估计就差不太多了，所以国产半导体设备还需要加油，只要全达到7nm的水准，基本上问题就解决了，禁令就成废纸了。