文/福布斯中国
图片来源：视觉中国
2月10日，东微半导(688261.SH)正式登陆上交所科创板，开盘价为139.8元，较发行价130元，上涨7.5%。此次发行1,684.4万股，募资总额为21.89亿元。
截止发稿，东微半导微涨0.1%，报130.11元，总市值87.7亿元。虽然发行首日股价仅微涨，但这家公司却并不简单。
公开资料显示，东微半导体是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。由于产品多运用于汽车相关应用的功率器件领域，尤其是新能源汽车充电桩及充电模块，所以其被称之为“充电桩芯片第一股”。两位创始人王鹏飞和龚轶两人均曾在国外留学，并就职于AMD、英飞凌等国际芯片巨头。
招股书显示，东微半导体在2018年、2019年、2020年营收分别为1.53亿元、1.96亿元、3.09亿元；净利润分别为1,297.43万元、911万元、2,768.32万元；扣非后净利分别为1,890.7万元、815.8万元、2,040万元。
同时，东微半导采用Fabless(无工厂芯片供应商)模式，不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节，因此公司人员规模较小。报告期各期末，公司员工总人数分别为18人、37人、53人和68人。主要产品为MOSFET产品（包括高压超级结MOSFET及中低压屏蔽栅MOSFET等），销售占比达99%。同时，招股书提示，公司具有供应商集中度较高、产品结构较为单一、人员规模相对较小等风险。
简单而言，东微半导是一家半导体设计公司，主营就是MOSFET高功率半导体产品。随着全球半导体“缺货潮”的持续，公司虽然人员规模较小，且仅涉及产业链中设计环节，但依托于功率半导体的稀缺性，营收和净利润一直呈现高速增长。
功率半导体缘何成为“香饽饽”
功率半导体，从功能上来说，主要是电能转换和电路控制，改变电子装置中的电压和频率，直流或交流等，实现对高电压、大电流的处理。目前，最典型的功率半导体就是MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）两种。
MOSFET是一种中低压分立器件，广泛应用于汽车的电动天窗、雨刮器、安全气囊、后视镜、LED大灯，以及纯电汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC 转换器等领域。IGBT则具备高压、大电流、高速等特点，是电子领域为理想的开关器件。根据集邦咨询研究显示， MOSFET长年占比超过五成。2020年占52.9％，2021年由于市场需求旺盛，占比有望小幅提升至54.2％。
正如招股书所言，随着我国消费电子、汽车电子、工业电子等多个行业的蓬勃发展以及智能装备制造、物联网、新能源等新兴领域的兴起，国内对功率半导体产品的需求迅速扩大，推动了行业的快速发展。
同时，受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站等市场对于高性能功率器件的需求增加，以高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。
目前，国产功率半导体仍然受制于国外，依赖于进口。好在，国内已有不少厂商实现了技术突破，其中就包括新洁能、扬杰科技、斯达半导、华微电子、比亚迪、中车时代等上市公司，或将成为国产替代的主力军。值得注意的是，东微半导是唯一一家只做MOSFET产品的公司
“充电桩芯片第一股”能否解决里程焦虑
提到充电桩芯片，就不能不提新能源汽车的大爆发。
近年来，全球新能源汽车爆发式增长，不仅是整车，整个产业链也因此受益，获得高速增长，其中功率半导体就是典型的例子。
如今，新能源汽车因电池支持的电子零组件用电电压各有不同，需要在电子传输过程进行电压转换，就离不开MOSFET等功率半导体元件协同运作。同时，随着汽车电子零组件增加，每辆车所配备的MOSFET数量也将大幅增加，而在新能源汽车智能化及各类功能增加的大趋势下，未来需求量还将继续增长。
更重要的是，新能源汽车产业链中的充电桩越来越受到关注。原因就在于里程焦虑，新能源汽车热销的同时，充电桩等基础设施并未及时跟进，导致充电难，阻碍了新能源汽车的普及。同时，由于充电桩属于工业范畴，不仅需要工业级认证，更必须适应各种环境进行大功率充电，其中MOSFET等功率半导体元件是实现电能转换的核心元件。
中国电动汽车充电基础设施促进联盟数据显示，截至2021年底，成员单位总计上报公共充电桩114.7万台，同比增长65％，其中直流充电桩47万台、交流充电桩67.7万台、交直流一体充电桩589台；随车配建充电桩（私人充电桩）147万台，同比增长74.3％。简单来说，截至2021年底，我国公共及私人充电桩保有量总计261.7万台，同比增长70.1％。
东微半导的MOSFET产品广泛应用于新能源汽车、充电桩及工业领域，处于国内充电桩需求的迫切的前提下，潜在市场和发展空间可想而知。
第三代半导体或成撬动国产替代支点
功率半导体火爆的背后，还有第三代半导体的身影。
第三代半导体材料，是指带隙宽度明显大于Si的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新型材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求。
以碳化硅为例，其具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使用碳化硅的器件可适用于高频高温的工作场景，可以显著降低性能损耗。因此，碳化硅多用于制造高耐压、大功率电力电子器件，例如MOSFET、IGBT等，广泛应用于新能源汽车、智能电网等新兴领域。
尤其在“双碳”战略大环境下，第三代半导体将大大提升电子元器件的耐用性和寿命，也让电能转换效率，降低损耗，无疑将是未来功率半导体的发展趋势。同时，
更重要的是，第三代半导体因其对制程和设备要求相对不高，属于后摩尔定律概念，更有利于提升芯片性能。据集邦咨询预测，到2025年，全球碳化硅功率器件市场规模将达到33.9亿美元，氮化镓功率器件市场规模也将达8.5亿美元。
另一方面，第三代半导体也成为国产替代的又一风口。目前，闻泰电子、三安光电、斯达半导、捷捷微电、华润微、华微电子、晶盛机电等上市公司均在布局第三代半导体，其中就不乏功率半导体企业。
综上所述，东微半导虽然只是一家以MOSFET为主的功率半导体厂商，但其背后还隐藏着新能源汽车、充电桩、第三代半导体、国产替代等多个新兴和热门领域，甚至是风口。尽管目前国内半导体仍然受制于国外，但从全球“缺芯潮”和国内产业链的发展来看，仍然具有广阔的空间和机遇。
而毋庸置疑的是，半导体是未来万物互联时代的基石，充满了无限的应用场景和想象空间。