4月份以来全球DRAM存储芯片价格突然暴涨26%，让业界人士瞠目结舌，近日美国哈根斯伯曼律师事务所（Hagens Berman）代表当事人发起对韩国DRAM内存厂商三星、SK海力士和美国DRAM内存厂商镁光的集体诉讼，这是该律师事务所第二次对这三家厂商提起诉讼，让人怀疑这次DRAM内存价格突然暴涨与这三家厂商有关。
早在2018年的时候美国哈根斯伯曼律师事务所（Hagens Berman）就曾代表数个当事人发起对三星、SK海力士和镁光的集体诉讼，揭示出2016年和2017年全球DRAM内存价格暴涨的内幕。
2016年、2017年全球DRAM内存价格上涨了130，让三星、SK海力士和镁光的利润暴涨，哈根斯伯曼律师事务所认为这是这三家内存厂商联合操纵全球内存价格所致，这三家内存厂商合计占有全球DRAM存储芯片市场接近100%的市场份额，给美国消费者造成了损失，不过历经两年多时间的诉讼，最终在2020年底被驳回。
当时DRAM内存芯片价格暴涨也给中国的PC和智能手机行业造成了很大的损失，为确保中国厂商的利益，发改委也曾约谈三星、SK海力士和镁光这三家内存厂商，后来更计划调查这三家内存厂商是否存在操纵价格的行为，不过到了2018年之后全球内存价格转入下跌周期。
如今DRAM内存芯片再次出现异常暴涨，哈根斯伯曼律师事务所再次起诉三星、SK海力士和镁光，时机可谓刚刚好，或许是这家律师事务所以及它代表的利益相关方找到了新的证据，因此再次提起诉讼。
DRAM和NAND flash存储芯片对于科技行业非常重要，尤其是近十年来由于云计算等行业的兴起，全球对这些存储芯片的需求激增，导致这些存储芯片不时出现价格暴涨，给中国这个全球制造大国造成损失。
中国也认识到了存储芯片的重要性，从2014年成立第一期集成电路产业基金以来就一直积极支持存储芯片行业的发展，推动国内存储芯片产业的发展。
在各方的努力下，如今中国两大存储芯片企业--长江存储和合肥长鑫已取得成果，这两家存储芯片企业已分别生产NAND flash和DRAM存储芯片，采用这些存储芯片的产品以上市销售，打破了韩国和美国垄断存储芯片市场的局面。
中国掌握了存储芯片生产技术，打破了韩国和美国垄断存储芯片的局面，有利于中国制造业的发展，避免中国制造业受制于这两国，如今长江存储和合肥长鑫正努力提高产能，夺取更多市场份额。
柏铭科技认为中国在存储芯片行业所取得的成功，代表着中国芯片产业坚持自主研发的成绩，未来中国自主芯片产业或许将进一步发展，在更多芯片行业打破外资企业垄断芯片市场的局面，确保中国制造的产业安全。