1、导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，称为半导体。
2、N型半导体中的空穴多，P型半导体中的电子多。
× P型半导体中的空穴多，N型半导体中的电子多。
3、无论是P型半导体还是N型半导体，它们整个晶体仍是中性的，对外不显示电性。
4、当PN结的P区接电源的负极，而N区接电源的正极，PN结就会导通。
× 当PN结的P区接电源的正极、而N区接电源的负极，PN结就会导通。
5、PN结正偏时处于截止状态，反偏时处于导通状态。
× PN结正偏时处于导通状态，反偏时处于截止状态。
6、PN结正向导通时，其内、外电场方向一致。
× PN结正向导通时，其内、外电场方向相反。
7、三极管按功率可分为开关三极管、功率三极管、达林顿三极管、光敏三极管等。
× 三极管按功能可分为开关三极管、功率三极管、达林顿三极管、光敏三极管等。
8、 三极管有两个PN结，即集电结和发射结。
9、三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，所以可以用两个二极管代替一个三极管。
× 三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，但不可以用两个二极管代替一个三极管。
10、NPN、PNP两种结构形式的三极管，它们对电源的极性要求相反，因此它们各电极中的电流方向也不同。
11、已知某三极管的发射极电流IE=1.36mA，集电极电流IC=1.33mA，则基极电流IB=30μA。
12、三极管的穿透电流ICEO越小越好。
13、晶体三极管在饱和状态时，Ib增大，Ic几乎不变。
14、当三极管的发射结和集电结都处于正向偏置时，三极管截止、相当于开关断开。
× 当三极管的发射结和集电结都处于反向偏置时，三极管截止，相当于开关断开。
15、晶体三极管的输入特性是指当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保持为某一固定值时，加在三极管基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的关系。
16、三极管的工作状态可以分成三个区域：截止区、放大区、饱和区。
17、三极管电流放大作用的本质是把一个微小的电流变化直接扩大为一个较大的电流变化。
× 三极管电流放大作用的本质是用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。
18、欲使三极管具有电流放大作用，必须使发射结和集电结都正向偏置。
× 欲使三极管具有电流放大作用，必须使发射结正向偏置，集电结反向偏置。
19、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大功能。
× 三极管发射结正向偏置，集电结反向偏置时，三极管才具有电流放大功能。
20、晶体三极管组成的放大器采用电阻法、电流法、电压法三种分析方法。
× 晶体三极管组成的放大器采用的两种基本分析方法是图解法和微变等效电路法。
21、晶体三极管的电流放大系数随温度升高而减小。
× 晶体三极管的电流放大系数随温度升高而增大。
22、晶体管放大电路中，集电极电阻的主要作用是向三极管提供集电极电流。
× 晶体管放大电路中，集电极电阻的主要作用是将三极管的电流放大转化为电压放大。
23、模拟放大电路设置静态工作点的目的是为减小其波形失真。
24、在共射极基本放大电路中，静态工作点选择偏高，则输出信号易产生饱和失真。
25、共发射极基本晶体管放大电路在动态时，输出电压与输入电压同相。
× 共发射极基本晶体管放大电路在动态时，输出电压与输入电压反相。
26、由多级电压放大器组成的放大电路，其总电压放大倍数是每一级放大器电压放大倍数的乘积。
27、场效应管具有电流放大能力。
× 场效应管具有电压放大能力。
28、低频跨导Gm是衡量场效应管放大作用的重要参数。
29、绝缘栅场效应管在安装、测试时，所用的烙铁、仪器等都要有良好的接地。
30、某单结晶体管的型号为BT35，其中的“5”表示耗散功率为500mW。
31、单结晶体管具有一个发射极、一个基极和一个集电极。
× 单结晶体管具有一个发射极、两个基极。
32、当单结晶体管的发射极电压降低到谷点电压以下时，单结晶体管则截止。
33、单结晶体管触发电路中，稳压管断开，电路能正常工作。
× 单结晶体管触发电路中，稳压管断开，电路不能正常工作。
34、对脉冲通路上的脉冲起着开关作用的电子线路叫做门电路。
35、基本逻辑门电路有与门 、或门和非门，利用此三种逻辑门电路的不同组合可以构成各种复杂的逻辑门电路。
36、“或”门电路的逻辑功能表达式为P=A+B+C。
37、与门电路输入为“0”和“1”时，输出为“1”。
× 与门电路输入为“0”和“1”时，输出为“0”。
38、逻辑代数中的0和1是代表两种不同的逻辑状态，并不表示数值的大小。
39、逻辑电路中的“与”门和“或”门是相对的，即正“与”门就是负“或”门，正“或”门就是负“与”门。
40、在数字电路中，用来完成先“与”后“非”的复合逻辑门电路叫与或门电路。
× 在数字电路中，用来完成先“与”后“非”的复合逻辑门电路叫与非门电路。
