黄仁勋：2029年内存供应过剩可能性不大；SK海力士暂停Solidigm IPO计划；美光：押注6F²与3D DRAM

某存储原厂推进iHBM商业化准备；设备大厂反驳DRAM设备需求放缓论；三星电子升级存储研发组织机制

消息称三星西安、SK海力士大连推进NAND产线升级；宏芯宇通过港交所聆讯，冲刺港股主板IPO；美光台湾劳资争议最新进展

存储原厂押注物理AI专用存储，预计2028年商业化；传BAT已向英伟达订购超350亿美元芯片

本周部分渠道DDR5内存条继续小涨，但近期个别资源价格出现松动涨价后劲存疑！

长鑫科技、德明利Q3业绩预告；戴尔CEO：2027年HBM和DRAM供应更紧张

苹果CEO回应内存危机：评估考虑所有选项；SK海力士发布新型3D NAND架构；传字节跳动洽谈采购联发科AI芯片

江波龙：预计第三季度营收139亿元~159亿元，同比增长112.76%~145.35%

存储巨头公布下一代存储路线图；三星4F²技术将用于3D DRAM；传英特尔以色列先进晶圆厂发生爆炸

资源成本高企带动多数渠道/行业内存条价格续涨，但64GB及以下容量eMMC承压下行

AI定制NAND竞赛开打，存储巨头押注细分赛道；长鑫新架构最新进展；传英特尔、高通、AMD接力调涨CPU价格

环比增长27%，这家存储厂商单季营收连续六季创新高；消息称三星电子下调Q4智能手机产能预估；华为、小米手机涨价

三星电子预计Q3营业利润同比暴涨近8倍；美光与Netlist达成专利诉讼和解；多家存储模组厂9月营收维持高位

美光：预计2027/2028财年存储供需进一步趋紧，HBM出货增速将持续高于传统DRAM

CFM发布最新季度报告：存储价格还将继续上涨

新厂首条量产线提速，存储巨头产能释放或提前；南亚科技被控DRAM专利侵权

高通首次拆分旗舰芯片：存储规格拉开差距；三星LPDDR6完成高通平台验证；长江存储3D NAND专利战在德获胜

假期临近存储现货整体横盘整理，个别让价换量成效有限难掩低迷市况

传某NAND厂商拟在美建厂；美光坦言供需平衡节点难料；英伟达：预计2027年芯片销量翻倍

比原计划提前三个季度！华为昇腾按下“加速键”；英特尔CEO预警：明年内存短缺或升级；华邦电子11.2亿美元收购英飞凌存储业务