2026年9月7日，在SPIE光掩模技术+极紫外光刻会议上，英特尔代工部门与ASML联合展示了高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻技术量产落地及未来技术迭代的最新阶段性成果，披露了该技术的量产数据、性能优势及行业生态布局进展。
据双方公开信息，高数值孔径EUV技术已正式落地英特尔代工大规模量产体系。截至目前，该技术已完成设备认证、研发测试等前置工作，成功应用于英特尔Core Ultra 300系列处理器（Panther Lake）特定工艺层的规模化生产，累计晶圆处理量突破一百万片。量产数据显示，该设备的套刻精度、生产吞吐量及设备可用性三大核心指标，均达标英特尔代工量产标准，具备稳定商用能力。
在工艺性能层面，英特尔18A制程采用高数值孔径EUV技术完成图案化的产品，综合性能全面持平或优于传统0.33数值孔径NXE平台EUV工艺的同类产品，验证了新一代光刻技术的工艺升级价值。
同时，该技术大幅降低了客户的落地门槛，客户既可依托现有6英寸掩模版完成芯片布局规划，也可借助英特尔代工专属的掩模拼接技术与工艺设计套件（PDK）解决方案，适配行业通用掩模版格式，即时享受高数值孔径EUV的工艺红利，无需提前更换硬件体系。
在生态布局方面，英特尔代工已持续三年推进大尺寸掩模版格式标准化计划。公司联合ASML、掩模版厂商、自动化供应商、EDA及材料合作伙伴、各大半导体制造企业深度协同，持续完善高数值孔径EUV技术配套的行业标准、基础设施体系与核心技术，为该技术的长期迭代扩容筑牢生态基础。
此外，双方将在本次SPIE会议上公开掩模版拼接技术最新突破，该技术是实现现有6英寸掩模版适配新一代EUV工艺的核心关键。太平洋时间9月8日上午（注：约北京时间9月9日凌晨），ASML与英特尔代工将先后发表专题演讲，分别解读半场拼接的设备与掩模要求、面向量产的高数值孔径EUV拼接核心技术，为行业普及先进工艺落地方案。
总的来看，英特尔代工与ASML的联合推进，标志着高数值孔径EUV光刻技术已从研发验证迈入规模化量产新阶段。双方在性能、生态与标准化层面的协同布局，不仅降低了客户导入门槛，更为下一代芯片制造铺平了道路，有望加速AI等前沿领域的创新步伐。
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