存储缺货格局将延续至2027年！科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数跳涨超7%，换手率超18%交投活跃

盘面上，两市高开高走，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨7.03%，成交额达7791.76万元；换手率达18.17%。成分股中，普冉股份涨停，澜起科技、裕太微-U、杰华特、聚辰股份、纳芯微涨超5%，中微半导、芯海科技、康希通信等多股跟涨。

科创芯片设计ETF天弘(589070)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数聚焦半导体中游设计环节，含量接近95%！相较于同类科创芯片指数更加“纯粹”，行业集中度极高！

消息面上，据TrendForce预测，2026年第二季度DRAM与NAND Flash合约价格将环比暴涨58%～75%，集微网报道称存储缺货格局将延续至2027年。

东吴证券认为，科创芯片板块在AI算力需求爆发与国产替代深化的双轮驱动下，中长期配置价值凸显。短期需关注市场轮动带来的波动，但政策支持与技术突破将持续强化其作为科技核心主线的地位。