金融界 2025 年 5 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司取得一项名为“一种抑制漏源电压过冲的 SiCVDMOSFET 结构及其制备方法”的专利，授权公告号 CN119653833B，申请日期为 2025 年 2 月。
天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目14次，专利信息139条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员