导读：外媒：EUV光刻机真的要来了
在2025年的曙光初现之际，中国科技创新领域捷报频传，从六代机的成功首飞到两栖攻击舰四川舰的震撼下水，每一项成就都彰显了国家实力的飞速提升。而在半导体这一关乎国家信息安全与高科技产业发展的关键领域，中国同样传来了一系列振奋人心的消息。
国产芯片出口金额首次突破万亿元大关，标志着中国半导体产业在国际市场上的竞争力显著增强。更为引人注目的是，高端EUV光刻机的研发取得了重要进展，这一里程碑式的突破，不仅预示着中国在芯片制造领域的自主能力大幅提升，更是对全球半导体产业格局的一次深刻冲击。
ASML的言论与EUV的重要性
ASML（高级半导体材料光刻公司）作为全球EUV光刻机的垄断供应商，其总裁富凯近期关于EUV光刻机禁运效果的言论，无疑在全球范围内引发了广泛关注。他指出，由于美国和荷兰联合实施的出口管制，中国大陆在芯片制造技术方面相较于西方落后了10至15年。这番言论虽然在一定程度上反映了EUV光刻机在先进芯片制造中的不可或缺性，但也从侧面折射出ASML对于中国市场潜力的认识以及其面对全球半导体供应链重组时的复杂心态。
EUV光刻机，作为制造7纳米及以下先进制程芯片的核心设备，其重要性不言而喻。它利用极紫外光作为曝光光源，能够实现更高精度、更高效率的芯片图案转移，是提升芯片集成度和性能的关键。然而，高昂的成本、复杂的技术壁垒以及国际因素的干扰，使得EUV光刻机的获取成为众多国家和地区半导体产业发展的巨大挑战。
自主突破：从困境到希望
面对外部封锁，中国半导体产业选择了最为艰难但也是最根本的道路——自主研发。早在2018年，中芯国际曾尝试向ASML订购EUV光刻机，却因外部因素未能如愿。这一事件成为中国半导体产业加速自研EUV光刻机的催化剂。
近年来，中国与企业加大了对半导体产业的投入，特别是在基础研究和关键技术攻关方面。哈尔滨工业大学（哈工大）在这一领域的突破尤为引人注目。近日，哈工大宣布其“放电等离子体极紫外光刻光源”项目荣获大赛一等奖，这一成果直接针对EUV光刻机的核心难题——光源技术。极紫外光源作为EUV光刻机的三大核心技术之一，其研发难度极大，对材料、工艺、光学设计等多方面都有极高要求。哈工大的这一突破，无疑为中国自主EUV光刻机的研发奠定了坚实基础。
全面突破：光源之外的努力
值得注意的是，哈工大在极紫外光源方面的突破只是中国半导体产业自主研发EUV光刻机征途上的一个缩影。在物镜系统、双工作台等关键部件上，中国科研人员同样取得了显著进展。物镜系统负责将极紫外光精确聚焦到硅片上，其精度要求极高；而双工作台则确保了高效、连续的芯片生产流程。这些技术的突破，意味着中国在EUV光刻机的整体设计和制造能力上正在快速逼近国际先进水平。
外媒评价与展望
外媒对于中国EUV光刻机自研进展的报道，普遍持乐观态度。他们认为，中国在半导体领域的持续投入和创新活力，使得国产EUV光刻机的实现成为可能。一旦中国成功突破EUV光刻机技术，不仅将极大提升国内芯片制造的自给率，减少对外依赖，还将对全球半导体供应链产生深远影响，推动产业格局的重塑。
更重要的是，中国EUV光刻机的自主研发成功，将是对“技术封锁”最有力的回应。它将证明，即使面临重重困难，凭借坚韧不拔的创新精神和强大的科研实力，中国半导体产业完全有能力走出一条独立自主的发展道路。
结语：未来已来，挑战与机遇并存
尽管前路依旧充满挑战，但中国半导体产业正以前所未有的决心和行动力，向着高端制造的目标迈进。EUV光刻机的自主研发，不仅是对技术高峰的攀登，更是对国家科技自立自强战略的生动实践。随着技术的不断突破和国际合作的逐步深化，中国半导体产业有望在全球舞台上扮演更加重要的角色，为构建开放、公平、非歧视的半导体市场环境贡献力量。
在这个过程中，ASML等国际巨头或许需要重新审视其市场策略，而美国等国家的出口管制也可能面临调整的压力。毕竟，在全球化的今天，合作与共赢才是推动科技进步、促进经济发展的正道。中国的EUV光刻机之路，虽长且艰，但未来已来，光明可期。