MRDIMM是一种新型内存技术正在席卷整个行业，并带来了显著的性能提升。
随着数据密集型工作负载的需求不断增加，现代服务器面临着将计算能力与内存带宽相匹配的巨大压力。像人工智能、高性能计算和实时分析等行业，依赖于能够以极高速度提供数据的内存子系统，以避免性能瓶颈。
MRDIMM
尽管处理器技术的进步推动了计算性能的指数级提升，但内存的发展却相对滞后。在这种背景下，许多主要行业厂商开始采用多路复用内存模块（MRDIMM）技术，这是一种新的内存形式，能带来显著的性能提升。
什么是MRDIMM？
MRDIMM技术应对了现代服务器对更高内存带宽的日益需求。随着CPU核心数量和速度的不断提升，内存必须以匹配这些进步的速度提供数据。MRDIMM通过同时操作两个内存通道，实现了比标准DDR5 DIMM更高的数据吞吐量。例如，DDR5 DIMM通常支持4800 MT/s的速度，而第一代MRDIMM的速度可达到8800 MT/s。预计未来几代产品将实现更高的速度，例如第二代达到12800 MT/s，第三代则可达到17600 MT/s。
MRDIMM使用高速多路复用器或数据缓冲区，同时读取内存Bank并将数据传输到CPU。这使得MRDIMM与内存交错技术不同，后者是顺序处理跨多个DIMM的内存操作。通过将同时操作内存银行与先进的多路复用结合，MRDIMM提供了显著更快的内存性能。
MRDIMM应用
MRDIMM 应用
Tall Form-Factor（TFF）MRDIMM通过增加内存容量而无需更多物理插槽，提供了额外的好处。这些模块外形尺寸更高，以容纳更多的内存芯片，但它们仅适用于更大的服务器设计，如2U或更大规格的服务器。
通过启用更快速、更高效的数据传输，MRDIMM有助于未来的服务器设计应对高性能计算日益增长的需求。
瑞萨推出完整的DDR5 MRDIMM芯片组
瑞萨最近发布了“业内首个”第二代DDR5 MRDIMM完整芯片组解决方案。
瑞萨的第二代MRDIMM解决方案
该解决方案支持最高12800 MT/s的内存速度，针对需要大量内存带宽的人工智能和高性能计算工作负载。该解决方案包含三个关键组件：RRG50120多路复用寄存时钟驱动器、RRG51020多路复用数据缓冲器以及RRG53220电源管理集成电路（PMIC）。时钟驱动器缓冲主机控制器和DRAM之间的命令和地址信号，并且功耗比其前代降低了45%。数据缓冲器通过多路复用数据路径提高吞吐量，PMIC提供更高效的电源管理并提供电气过压保护。
根据瑞萨的说法，这些产品的组合相比第一代MRDIMM，内存带宽提升了1.35倍。预计将在2025年开始大规模生产。
英特尔的MRDIMM技术提升Xeon 6性能
英特尔宣布，近期推出的Intel Xeon 6处理器将兼容MRDIMM技术。作为MRDIMM卓越性能的证明，独立测试表明，使用MRDIMM的Xeon 6处理器相比使用传统RDIMM的相同系统，性能提升了多达33%。
Xeon 6 CPU将支持MRDIMM解决方案
Xeon 6 CPU将支持MRDIMM解决方案
尽管英特尔实施了MRDIMM技术，这些处理器仍将与现有的RDIMM基础设施兼容，无需更改形态因子或服务器配置。这样，英特尔确保数据中心运营商可以轻松地通过更换RDIMM为MRDIMM来采纳新技术，而无需额外的硬件调整。这一整合还保持了Xeon 6处理器的先进功能，如可靠性和纠错能力。
Rambus推出DDR5 MRDIMM芯片组
Rambus最近推出了支持最高12800 MT/s数据速率的Gen5 DDR5 RDIMM和下一代MRDIMM芯片组。该套件包括Gen5 RDIMM的寄存时钟驱动器以及MRDIMM的多路复用寄存时钟驱动器和数据缓冲器。
DDR5 MRDIMM架构使用每个模块一个多路复用寄存时钟驱动器和十个多路复用数据缓冲器，以高效地多路复用内存通道。与此同时，Rambus的第二代PMIC提供高电流低电压输出，以优化功率效率并支持每个模块更多的DRAM。
DDR5 MRDIMM概念图
DDR5 MRDIMM概念图
与英特尔的解决方案类似，Rambus的芯片组保持与现有服务器平台的兼容性，同时支持更高的MRDIMM，以增加在物理空间受限的情况下的内存容量。
面向数据密集型负载的更高带宽
MRDIMM的应用可能会显著改变现代数据中心如何解决内存瓶颈的问题。随着计算能力的指数级增长，数据中心运营商面临着提高内存性能而不对基础设施进行大规模改造的挑战，尤其是对于处理大规模、内存密集型工作负载的行业。随着这些解决方案在2025年及以后开始大规模生产，MRDIMM技术可能会成为下一代服务器部署中的常见技术。
EETOP编译自：allaboutcircuits
欢迎扫码报名参加(免费)