本周全球最大的晶圆代工厂台积电（TSMC）在其欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，性能增强的N2P和N2X工艺技术的电子设计自动化（EDA）工具和第三方IP模块已经准备就绪。这意味着新品设计人员可以基于台积电第二代N2系列制程提供的工艺开发新品，从而利用GAA晶体管架构和低电阻电容器的优势。
据TomsHardware报道，Cadence和Synopsys的所有主要工具，以及西门子EDA和Ansys的仿真和电迁移工具，都已准备好用于台积电的N2P工艺。这些项目已经通过了N2P工艺开发工具包（PDK）0.9版本的认证，预计将于两年后的2026年下半年进入大规模生产阶段。此外，各种第三方IP现在能以预设计工具包的形式从不同的供应商处获得，预计2024年第四季度内到来，时间刚刚好。
相比于3nm制程节点，台积电在2nm制程节点的关键改进是引入GAA晶体管架构，另外还有高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器。GAA晶体管的优点是众所周知的，可以通过调整通道宽度来实现高性能或低漏操作。高性能金属-绝缘体-金属电容器的加入是为了提高电源稳定性，按照台积电的说法，新款电容器的容量密度是其前身（SHDMIM）的两倍以上，同时还将Rs片状电阻（欧姆/平方）降低了50%，而Rc通孔电阻也降低了50%。
虽然所有N2系列工艺都具有相同的优点，但是与第一代N2工艺相比，N2P会有额外的改进，功耗降低5%至10%（在相同的频率和晶体管数量下），或者性能提高5%至10%（在相同的功率和晶体管数量下）。N2X拥有比N2和N2P更高的FMAX电压，确保提供更好的性能，包括数据中心CPU/GPU以及专用的ASIC。另外N2P和N2X是兼容的，意思是使用N2X的芯片设计公司不必重新开发为N2P设计的任何东西。