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台积电将在2024年底之前从ASML接收首批高数值孔径极紫外 (High NA EUV) 微影曝光机，这代表台积电将转向下一代制程技术。
虽然一开始有消息传出台积电并没有购买ASML High-NA EUV曝光机的计划，主要原因是在台积电的台湾工厂集成设备和安置机器的相关成本较高。 但是，后来还是传出台积电还是向ASML购买了High-NA EUV曝光机，以维持技术上的领先。
《日经亚洲》报道称，台积电的High-NA设备预计将于今年交付，据悉，台积电将接收ASML的Twinscan EXE:5000 High-NA曝光机，其分辨率为8纳米，EUV光波长为13.5纳米。 该系统将使芯片制造商生产的芯片体积缩小1.7倍，晶体管密度提高2.9倍。 ASML表示，Twins can EXE:5000拥有业界最高的生产率，因此对于台积电来说，是保持芯片代工领先的必经之路。
台积电购买单单一台这种机器的成本就高达约3.5亿美元，在实施方面，台积电的High-NA EUV将在该公司计划于2027年量产的1.4纳米（A14）制程中大显身手。考虑到英特尔正计划购买五到六台高High-NA EUV设备，后者也正全力以赴发展下一代技术。