【摘要】AI时代带给存储企业新的挑战与机遇，面对HBM的出口限制，3D DRAM在这轮大模型浪潮中蔚然成风、成为当下前沿的存储技术路线。
目前，芯盟科技正在整合产业链，在这波浪潮中强势崛起。
据了解，其架构Logic Die层将由武汉代工厂提供，DRAM层供应商主要包括两大存储厂，做堆叠技术的供应商则主要包括兆易创新。
可以说，整条产业链的重要参与者均是芯盟的“老熟人”。
据业内人士消息，前TI中国区销售负责人、某存储公司前市场与销售高级副总裁、前思特威CMO章佩玲履新芯盟，担任CEO职务。
CIS同样拥有3D架构，不过工艺较低，属于Logic Die上背了一层CMOS感光元件。章佩玲的加入预期将给芯盟带来更多芯片开发和市场化经验。
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以下是正文：
大模型正在催生3D DRAM的新生意。
过去，由于对数据量和处理器的算力要求并不太高，传统的2D DRAM是一个平面架构，将存储单元横向排布在单个硅基晶圆平面上。
但随着AI的持续渗透，传统架构开始在存储密度和内存带宽方面越来越吃力。
而3D DRAM通过将多个存储层垂直堆叠在一起，以形成更高的存储密度，当前10nm级别的DRAM制程工艺接近极限，工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰等方面的挑战愈发明显，传统的2D DRAM已经难以与大模型发展的要求适配。
如果想要发展到10nm以下，则是国内厂商的一大难题。
对此，海外厂商的解法是High Bandwidth Memory (HBM)、Computational In-Memory、Emerging Memories、CXL等技术，尤其是HBM，这两年已经成为与高性能GPU搭配使用的最炙手可热的存储产品。
HBM是DRAM结构从2D到3D的一种过渡形态，本质上是由多张DRAM芯片堆叠在一起，随后再通过先进封装技术和GPU封装在一起，形成大容量、高位宽的DDR组合阵列，从而克服单一封装内的带宽限制。
以英伟达H100 SXM5为例，其集成了6颗HBM3，总容量达到80GB，内存带宽超 3TB/s，是A100内存带宽的2倍。
但对于国内而言，HBM被SK海力士、美光、三星等海外厂商高度垄断，全球主要产能也已经被英伟达占据，美国在2024年7月则出台了阻止美光、SK海力士、三星向中国企业供应用于人工智能的HBM芯片。
在这一背景下，诸多厂商开始瞄向3D DRAM架构。
据知情人士测算，仅近半年间，就有十余家公司涌入这一赛道。今年新成立的创业公司、做大模型高性能芯片的新项目，大多都是这一方向。
3D DRAM将存储单元堆叠至逻辑单元上方，简单来说，传统DRAM是盖平房，3D DRAM则是盖双层小楼，一楼是Logic Die，二楼是DRAM层，两层之间的连接通过3D堆叠的架构来实现，从而可以在单位晶圆面积上做到更高容量、更快访问速度，减少电流干扰。
目前的国内玩家中，芯盟科技是近期关注该领域的代表厂商。其2018年成立，并于近期完成数十亿元B轮融资，这在当下的融资环境中极为难得。
截至目前，芯盟科技已经打造了一套自己的供应链。
整条产业链的重要参与者均是芯盟科技的“老熟人”。
近期，据知情人士消息，前TI中国区销售负责人、前思特威CMO章佩玲履新芯盟科技，担任芯盟CEO职务。
值得注意的是，思特威主要从事CMOS图像传感器（CIS），CIS同样拥有3D架构，只不过工艺较低，属于Logic Die上背了一层CMOS感光元件。
至少在3D架构上，章佩玲的加入预期将给芯盟带来更多芯片开发和市场化经验。
由于3D DRAM产业链环节多、设计复杂，能够得到如此体量的原生支持对于芯片设计公司来说尤为可贵。
伴随着高算力AI芯片公司的热度增长，芯盟科技等3D DRAM架构的产品实际客户颇多，如燧原、壁仞、天数等都可以成为其客户。
至于应用场景，按照需求不同，实际能够包括端侧、云侧的存储和计算，这也是当前最火的两个板块。甚至包括OPPO、vivo、小米在内的手机厂商，也都在考虑做端侧npu产品。
AI的风，终究还是吹到了3D DRAM架构。
芯盟科技的样本经验，在于对整个三维异构产业链设计、生产、键合、封装都有的全面积淀，产业链整合在厂商竞速中至关重要。
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