进入高NA EUV光刻新时代,技术革新引领未来
进入高NAEUV光刻时代
高数值孔径极紫外光(HyperNAEUV)技术正在迅速成为光刻领域的新宠。比利时微电子研究中心(imec)计算技术与系统高级副总裁StevenScheer近日探讨了ASML与imec联合建立的高NAEUV光刻实验室对半导体行业的重要性,分析了这一转型将如何影响行业应用及环境可持续性。
ASML与imec合作在荷兰费尔德霍温成立的高NAEUV微影实验室,标志着高NAEUV技术向量产的关键进展。领先的存储和逻辑芯片制造商现已能够使用首台0.55NA高数值孔径(highNA)EUV曝光原型机TWINSCANEXE:5000及其相关基础设施,包括涂布机、显影机及测量设备。在IDM和晶圆代工厂正式使用这些光刻机之前,imec与ASML将共同协助降低开发风险,并支持定制化的高NAEUV应用。
未进入高NA EUV光刻新时代,技术革新引领未来
进入高NAEUV光刻时代
高数值孔径极紫外光(HyperNAEUV)技术正在迅速成为光刻领域的新宠。比利时微电子研究中心(imec)计算技术与系统高级副总裁StevenScheer近日探讨了ASML与imec联合建立的高NAEUV光刻实验室对半导体行业的重要性,分析了这一转型将如何影响行业应用及环境可持续性。
ASML与imec合作在荷兰费尔德霍温成立的高NAEUV微影实验室,标志着高NAEUV技术向量产的关键进展。领先的存储和逻辑芯片制造商现已能够使用首台0.55NA高数值孔径(highNA)EUV曝光原型机TWINSCANEXE:5000及其相关基础设施,包括涂布机、显影机及测量设备。在IDM和晶圆代工厂正式使用这些光刻机之前,imec与ASML将共同协助降低开发风险,并支持定制化的高NAEUV应用。
未英文homestarcorp.Cn来,实验室也将向更广泛的供应商开放,为他们在高NAEUV专用材料及设备的工程英文lijun-brush.Cn设计中提供先行者的机会。此外,imec及其多位合作伙伴将推动高NAEUV图案英文gm2006.Cn生态系统的下一代发展。
StevenScheer强调,费尔德霍温的高NAEU英文ice-ysys.CnV微影实验室旨在加速高NAEUV技术的量产及其经济性。ASML与蔡司(ZEI英文xjqth.CnSS)迅速开发了高NAEUV光刻机的专用解决方案,涵盖光源、光学元件、镜头畸英文yangshengjun.Cn变、拼接、焦点深度、边界放置误差及叠加精度等多个方面。
同时,imec与AS英文xzkaixing.CnML以及广泛的供应商网络合作,确保了用于第一代高NAEUV的先进光刻胶、涂布英文449998.Cn底层材料、掩膜及测量技术的及时供应,这一过程在2024年国际光电工程学会(S英文fishday.CnPIE)先进微影成形技术会议上也得到了确认。这些准备工作已经促成了首批晶圆的英文v7625.Cn曝光,涉及10nm和16nm宽的线/空间(即20nm和32nm
间距),预计原英文vi05.Cn型光刻机及基础设施将在20252026年实现大规模生产。
实验室的成就并不仅英文ree8.Cn限于生产。它的设施不仅用于技术的研发,还会成为行业内多方合作的基石。未来,更英文awasiting.Cn多的逻辑与存储芯片制造将会采用高NAEUV技术,特别是在动态随机存取存储(D英文711722.CnRAM)的关键结构生产中,其应用前景广阔。例如,D0a技术代的电荷储存节点连英文100pl.Cn接垫和位元线周边的图案,将可能通过单次曝光实现28nm的间距。
尽管短期内行英文huanzha.Cn业目标在于量产高NAEUV技术,imec与其合作伙伴的视野却更为长远,旨在开英文rangnie.Cn发下一代高NAEUV。为此,联合实验室将作为imec设施的虚拟延伸,处理前处英文381314.Cn理和后处理的部分仍将在imec的12寸晶圆无尘室进行。
高NAEUV微影设备英文jinzhougang.Cn的性能监测至关重要,imec团队将专注于评估设备的解析度、稳定性及焦点深度。英文fengyifu118.Cn由于高数值孔径导致的焦点深度减小,使得相关材料的开发显得尤为关键。实验室内,英文629521.Cn定向自组装(DSA)技术也正在探索如何与高NAEUV结合,以实现更低的缺陷率英文p7946.Cn。
最后,StevenScheer指出,尽管目前讨论高NAEUV技术的应
用尚英文v325.Cn属早期阶段,行业需求的驱动和技术障碍的克服将是这一进程成功与否的关键。ime英文888mp3.Cnc与ASML已经开始进行相关的可行性研究,特别是在HyperNAEUV的潜力英文y3788.Cn方面,探讨其是否能成为未来光刻技术的关键。
在环境可持续性方面,imec通过英文yesttk.Cn量化HighNAEUV转型的环境影响,特别是在二氧化碳排放方面,展示了此技术英文sjwscz.Cn的优势。尽管高NA光刻机在能源消耗上较高,但相较于低NAEUV的双重图形化工英文nsbeta.Cn艺,转向单次曝光的高NAEUV有潜力降低30%的二氧化碳排放量。
高NAEU英文aqyulong.CnV技术不仅为半导体制造带来了技术进步,还将为行业的可持续发展做出贡献。随着更英文fireb.Cn多研究的推进,未来的光刻生态系统将在保持技术先进性的同时,朝着更绿色的方向发展。
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