近日，华海清科宣布公司12英寸超精密晶圆减薄机Versatile-GP300已完成首台验证，这标志着该设备的性能得到了客户的认可，并满足了批量化生产的需求。该机型凭借创新的布局和先进的技术，具备高精度、高刚性等显著优势，非常适用于集成电路、先进封装等制造工艺。
目前，国际主流的晶圆背面减薄工艺采用磨削方法，将粗磨、精磨和CMP相结合。
晶圆背面减薄工艺包括磨削、抛光、干式抛光、电化学腐蚀、湿法刻蚀等多种技术，其中，磨削减薄技术因其高效、低成本的特点而应用最为广泛。
磨削技术主要包括粗磨和精磨两个阶段，但还需要CMP工艺进行辅助。
半导体晶圆制造前道加工包含七个关键工艺步骤：光刻、刻蚀、薄膜沉积、扩散、离子注入、化学机械抛光（CMP）以及金属化。
其中，CMP技术是实现晶圆表面高度平坦化的关键，也是推动集成电路制造工艺节点不断升级的重要驱动力。
CMP技术融合了机械抛光与化学抛光的优点，利用柔软的材料对晶圆进行精细抛光，以达到极高的表面平整度。
在CMP过程中，抛光头将晶圆紧贴在粗糙的抛光垫上，通过抛光液的腐蚀作用、微粒的摩擦以及抛光垫的摩擦等多重机制的协同作用，实现晶圆的全局平坦化。
CMP工艺主要消耗材料包括抛光液、抛光垫以及清洗剂、调节器等辅助材料。
根据SEMI数据，CMP抛光材料在集成电路制造材料成本中的占比高达7%，其中，抛光液、抛光垫和清洗液三者合计占CMP抛光材料成本的85%以上。
抛光垫作为CMP环节的核心耗材之一，主要功能包括储存和输送抛光液、清除磨屑以及维持稳定的抛光环境。
从下游应用来看，300mm（12寸）晶圆是抛光垫最大的应用领域，占比高达78.5%。
抛光液是由研磨材料和化学添加剂组成的混合物，能够在晶圆表面形成一层氧化膜，再通过抛光液中的磨粒将其去除，从而达到抛光的效果。
CMP工艺的核心设备是CMP抛光机。
全球CMP设备市场呈现出高度垄断的格局，主要由美国应用材料和日本荏原两家设备制造商占据，两家合计拥有全球超过90%的CMP设备市场份额，在14nm及以下的最先进制程工艺的大生产线上，所应用的CMP设备仅由这两家国际巨头提供。
国内CMP设备的主要研发和生产单位包括华海清科和北京烁科精微电子装备有限公司。
其中，华海清科是国产12英寸和8英寸CMP设备的主要供应商，也是国内唯一一家12英寸CMP商业机型制造商。
华海清科的CMP设备在逻辑、DRAM、3D NAND芯片等领域的成熟制程中实现了全工艺覆盖，部分关键CMP工艺类型已成为工艺基准机台。公司生产的CMP设备已广泛应用于中芯国际、长江存储、华虹集团、大连英特尔、厦门联芯、长鑫存储、上海积塔等领先集成电路制造企业的大生产线，并占据了国产CMP设备销售的绝大部分市场份额。
随着先进封装、Chiplet、HBM等先进封装技术的不断应用，市场对减薄装备和抛光设备的需求预计大幅提升。根据QYResearch的预测，到2029年，全球减薄机市场将增长至接近13.2亿美元，未来六年的年均复合增长率约为6.5%。