光谷200亿重大项目主体结构封顶！

光谷200亿重大项目主体结构封顶！

6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。

项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。接下来，将进入塔楼内部装修及裙楼主体结构施工阶段，预计明年7月量产通线。

2023年9月27日，长飞先进半导体（武汉）有限公司以11219万元拿下光谷科学岛高新七路以南，春光路以西的工DK（2023-04）07号地块。

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