项立刚作为最近影响力很大的自媒体博主，自称在通信行业和智能互联网行业浸润多年，也非常敢于发表自己的人看法。
最近他的一个言论引起了巨大争议，项立刚认为国内三年之内就能解决光刻机卡脖子的问题，实现光刻机国产化。
不过，有台积电分析就表示大陆造出DUV光刻机也就是深紫外光光刻机问题不大，但EUV光刻机就另当别论，要等上很长一段时间，甚至要花十年。
ASML光刻机的技术路径
该分析师在自己的节目中是这么说的：“大陆现在已经做到28nm的光刻机，已经非常厉害了，但做出来是一回事，要能保证稳定性和良率这一点就需要更长时间的打磨。
以我自己的判断，大陆很有可能能实现深紫外光刻机也就是DUV光刻机的国产化，我认为只要三五年就能实现，时间不会太短也不会太长。
但是EUV也就是极紫外光刻机要想研制出来难度就非常之大，因为拿不到实体的东西，所以就要花上很长一段时间。
ASML的EUV光刻机因为是商业化的设备，所以要把成本因素纳入考量，一般就是用金属锡材料来做，让它产生一个液滴，在滴下来的过程中镭射光撞击它。
研究过程中就发现镭射光去撞击锡这种金属液滴的时候，就会产生极紫外光，要做的就是把极紫外光收集起来送进光刻机的系统中去，极紫外光就可以把图形从光照转移到细的晶片上。
第二种方法就是用放电生成电浆，这个方法全世界都在研究怎么投入使用，包括大陆也在研究，但存在一个问题就是产生的能量太低也就是极紫外光不稳定，就无法实现大规模生产。
怎么突破EUV光刻机
大陆现在就另辟蹊径发展出另一个技术，是稳态微聚束，一个电子在一个超大型加速器中旋转的时候会放出能量也就是我们之前说的极紫外光，我们一般用于学术领域的研究。
现在就是清华大学提出这样一个设想，并且和德国一所大学达成合作后证明了这件事是可以做到的，是研制EUV光刻机的一个方向。
但是这项技术面临的一大问题就是成本，这么大的加速器成本一定非常高。对撞机大概能达到400公尺的大小，大概有一个操场这么大。
还有一个技术上的问题就是怎么把图形从光照转移到细晶圆上，这是一个非常复杂的光学系统，所以我就预测五年之内大陆能解决光源的问题，十年之内就能做出整个光学系统。
找到一个完全不同的技术路径并且一步步把它实践出来，这一定要花上非常多的时间，这个时间是一定需要的，所以我会做出这样的预测。”
从这段论述来看，这位分析师是从技术路径的发展角度来讲EUV光刻机研制需要花到的时间，整体来说还是有些依据的，不过对时间的判断还是见仁见智。
我认为既然要从技术的角度来讲问题，就不能像项立刚一样只抛出一个结论，过程怎么样怎么推导的都不给出来，这是无法令人信服的。