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在近日举办的CESC2024第二届中国国际储能大会上，许多储能企业带来了旗下最新的储能系统产品。在一众“大家伙”之间，扬杰科技(300373)的展位里却摆放着一个个小器件——全系列IGBT和SiC产品。
IGBT译为“绝缘栅双极型晶体管”，是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件；SiC则是一种碳硅化合物，是第三代半导体的主要材料，由于在耐高压、耐高频、耐高温方面具有独特优势，SiC能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。
望着橱窗里的展品，扬杰科技此次展会的相关负责人刘女士介绍道，这些器件的应用场景非常广，比如新能源汽车、光伏、充电桩、储能等，需要用电的地方基本都可能涉及到，它们在其中所扮演的角色往往是一个过渡的载体，起到控制连接的关键作用。
而作为第三代半导体的SiC，其应用在光伏储能领域有着不少优势，东方证券在研报中指出，相比于硅基IGBT，SiC MOS具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点，并且可以在高温等恶劣的环境中工作，有利于提高光伏逆变器使用寿命。
据扬杰科技披露，公司现已开发上市G1、G2系SiC MOS产品，目前已经实现批量出货。
“最近两年公司的发展重心就是IGBT和SiC，像这两块芯片的话，是有一定技术壁垒的。”提及研发，该负责人坦言SiC的研发成本很高，因为其价格本身就不便宜，而且在技术上还存在一些瓶颈要突破。
技术攻关如此不易，那产品研发出来后将为公司带来什么？“如果我们能研发出功率更大、体积更小的SiC产品，它在市场的替代率会很强。”该负责人还透露，“针对SiC产品，公司今年跟业内部分企业有达成合作，相当于1+1＞2，所以今年的产品线会更加丰富一些。”
记者 陈陟 实习记者 黄琴琴