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4月17日消息，据韩媒报道，三星最早将于4月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片，这是继236层第八代V-NAND之后的又一重大进步，是当前业界可量产的最高堆叠层数。此外，三星计划在2025年推出430层V-NAND产品。
业界人士表示，三星此举旨在满足人工智能（AI）热潮下对于NAND闪存的需求。随着人工智能领域从“训练”转向“推理”，需要处理大量数据，如图像和视频，因此需要大容量存储设备。观察人士还指出，三星对于其NAND业务在第一季度的盈利比较乐观。
三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的堆叠层数。
三星于 2022 年 11 月量产了 236 层第 8 代 V-NAND，这意味着两代之间的间隔为一年半左右。
Hankyung 称第 9 代 V-NAND 闪存的堆叠层数将是 290 层，不过IT之家早前报道中提到，三星在学术会议上展示了 280 层堆叠的 QLC 闪存，该闪存 IO 接口速率达到 3.2GB/s。
三星在第 9 代 V-NAND 上将沿用双闪存堆栈的结构，以实现更简单的工序和更低的制造成本。而在预计明年推出的第 10 代 V-NAND 闪存上，三星将换用三堆栈结构。
新的结构将进一步提升 3D 闪存的最大可能堆叠层数，不过也会在堆栈对齐方面引入更多的复杂性，SK 海力士明年量产的 321 层 NAND 闪存就将使用这一结构 。
行业机构表示三星的第 10 代 V-NAND 闪存有望达到 430 层，进一步提升堆叠方面的优势。
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