国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！
不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓
当地时间周一，美国商务部国家标准及技术研究所官网贴出声明，宣布与韩国三星电子达成一项初步协议，依据美国《芯片法案》提供至多64亿美元的直接补贴。
作为全球唯一一家同时在存储芯片和逻辑芯片领域均处于领跑集团的公司，三星计划在未来几年内斥资超400亿美元，建立一整套半导体研发和生产生态。
新建2nm工艺、HBM芯片封装产能
根据三星与美国政府拟定的协议，韩国芯片巨头准备新建两座“世界领先的逻辑芯片厂”、一座研发中心和一个先进封装设施，同时扩建三星原有的奥斯汀晶圆厂。
根据NIST的公告，奥斯汀工厂的扩建将支持全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）工艺技术的生产，将用于航空航天和国防等关键领域。这项拨款还包括三星与美国国防部合作的承诺。
新建设施则位于得州的泰勒市。三星将在那里打造一整个半导体研发-生产生态，包括一个致力于比当前工艺节点“先进一代”的研发厂、两座专注于大规模生产4nm和2nm工艺制程芯片的晶圆厂。还有一座为高带宽内存进行3D封装，以及具备2.5D芯片封装能力的先进封装设施，这两项都是当下AI芯片急需的尖端产能。
公告指出，除了协议中提到的64亿美元直接拨款外，三星还计划申请美国财政部的投资税收抵免，预期能够覆盖合规资本支出的25%。
据一名美国高级官员透露，通过这次补贴，三星将美国半导体工厂的投资额从170亿美元提高至近450亿美元。对于两家先进逻辑芯片工厂，一家计划于2026年投产，另一家与先进研发厂都将与2027年启用。这名官员还表示，已经有“两打供应商”表示将迁往美国，与三星半导体产业集群进行合作。
美国商务部长雷蒙多也在媒体吹风会上强调：“三星的一个先进逻辑芯片晶圆厂就有11个足球场那么大，现在他们要造两个。”
半导体论坛百万微信群
第一步：扫描下方二维码，关注国芯网微信公众号。
文章内容整理自网络，如有侵权请联系沟通