金融界2024年4月15日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体器件的方法和半导体器件“，授权公告号CN111128737B，申请日期为2019年10月。
专利摘要显示，在制造半导体器件的方法中，在沟道区域上方形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成第一导电层，在形成双层结构的第一导电层上方形成屏蔽层，在屏蔽层上方形成覆盖层，在形成覆盖层之后实施第一退火操作，在第一退火操作之后去除覆盖层，并且在去除覆盖层之后形成栅电极层。本发明的实施例还涉及半导体器件。
本文源自金融界