金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，瑞能半导体科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件及芯片“，公开号CN117457718A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及芯片，半导体器件包括元胞结构，元胞结构包括外延层、场板以及多个栅极结构。外延层包括外延部和分布于外延部周侧的第一沟槽。外延部包括掺杂区和多个第二沟槽。多个栅极结构与多个第二沟槽一对一对应设置。场板设置于第一沟槽，场板分布于栅极结构的周侧设置，掺杂区位于栅极结构和场板之间。本申请能够提高半导体器件的性能。
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