水溶性NaCl薄膜上GaAs模板的分子束外延

主要内容

目前III-V族化合物衬底价格普遍偏高，许多技术由此受到了其成本的限制。因此，能够重复使用原始衬底是一种可行的解决方法，但现有的衬底再利用技术存在明显缺陷。在这篇文章中，研究人员讨论了一种通过分子束外延在常用（001）GaAs衬底上沉积水溶性NaCl薄膜的新方法。利用原位电子束和低温成核层，在连续的NaCl层上生长单晶GaAs模板。模板层可以通过NaCl的溶解而从衬底上快速去除，Lift-off（剥离工艺）后的原始晶片rms表面粗糙度仅增加了0.2nm。

其中研究过程中使用巨力光电代理的kSA BandiT实时衬底温度测试仪来测量衬底温度。

文献信息

Molecular beam epitaxy of GaAs templates on water soluble NaCl thin films

Brelon J. May, Jae Jin Kim, Patrick Walker, Helio R. Moutinho, William E. McMahon,Aaron J. Ptak, David L. Young*