此前有报道称，高通出于对台积电（TSMC）3nm产能有限的考虑，未来骁龙8平台或采用双代工厂策略，分别采用台积电和三星的3nm工艺。高通原打算在2024年开始执行该计划，第四代骁龙8一方面采用台积电N3E工艺，另一方面供应Galaxy系列智能手机的版本采用三星3GAP（SF3）工艺。

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据TrendForce报道，由于三星对明年3nm产能扩张计划趋于保守，加上良品率并不稳定，高通已正式取消了第四代骁龙8采用三星代工的计划，双代工厂策略将推迟至2025年，未来一年仍完全依赖台积电。

三星在去年6月量产了SF3E（3nm GAA）工艺，这是其首次引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。明年三星将带来SF3（3GAP），这是其第二代3nm工艺技术，使用了“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做了进一步的优化，高通原本有望成为首个采用新工艺的客户。

目前台积电3nm月产能大概在每月6至7万片晶圆，预计明年底会提升至每月10万片晶圆，对营收的贡献率也由5%提高至10%。