据韩媒报道，三星和台积电发展3nm制程时存在某些问题，两家公司仍难以确保良品率（良品占总产量的比例）超过60%，尚未达到市场所期望的良率。

此前，有消息称，三星电子3nm良率超过60%，已成功交付中国客户。但就这款芯片而言，其工艺并不包括逻辑芯片的SRAM（静态随机存取存储器，负责临时存储数据的关键部件）。因此，这并不能被认为是完整的3nm工艺。

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GAA是指一种技术，其中栅极围绕构成半导体的晶体管中电流流过的通道的四个侧面。栅极是控制电流的器件，与沟道的接触面越多，数据处理速度和功率效率就越高。相比于FinFET仅覆盖沟道的三个侧面，覆盖全部四个侧面自然增加了工艺难度。

据悉，三星电子先于台积电开始量产3nm GAA，但为了吸引大客户，必须保证一定的良率并建立量产体系。一位熟悉三星电子的人士表示，“估计三星电子最新的3nm工艺目前的良率仍在50%左右”，并补充道，三星想要赢得高通、甚至是自己公司的LSI（芯片组和调制解调器）部门等主要厂商的3nm移动芯片订单，明年需要达到至少70%的良率。同时，像高通这样的公司必须为这批晶圆支付全价，包括有缺陷的晶圆。

这也表示，如果三星无法满足良率要求，那么高通下一代旗舰芯片，很可能不会选择三星。三星3nm芯片良率仅五成，无法满足高通