2023年已经过去了三分之二，各大手机品牌的旗舰机也基本发布完毕了，都在等待高通和联发科的新一代旗舰芯片。目前，已经有多款新机曝光出来，比如小米14系列、vivoX100系列、iQOO12系列等新机，预计在两大旗舰芯片发布后，也会陆续发布。10月份的新机不在旗舰机上，更多的是低中端机，毕竟新一代旗舰机都在等待新一代旗舰芯片，年底前两大旗舰芯片都会发布完毕的。
高通已官宣，将会在10月24日-26日举行骁龙技术峰会，而新一代旗舰芯片也会发布，暂定型号为骁龙8Gen3芯片。联发科的新一代旗舰芯片暂时没有公布具体的发布时间，预计在近一个月左右，暂定型号为天玑9300芯片，两大旗舰芯片将会是对方的竞争对手。其实，高通的旗舰芯片搭载率是比联发科的高，而联发科的旗舰芯片，更多的是搭载在OPPO、vivo、iQOO等品牌的产品上，其它品牌比较少。
同时，骁龙8Gen3芯片的部分参数已曝光，采用了台积电的4nm工艺制程，目前只有苹果的A17Pro芯片采用了最新的3nm工艺制程。后面的天玑9300芯片，也是采用了4nm工艺制程。联发科在2024年的下半年才会推出3nm工艺制程的旗舰芯片，所以还需要等待一段时间。高通的3nm工艺制程芯片，暂时没有公布出来，预计也是明年才会推出，最快在上半年。
骁龙8Gen3芯片采用了新的架构，“1+5+2”八核心，1颗X4的超大核3.2GHz、5颗A720的大核3.0GHz、2颗A520的2.0GHz，而GPU为Adreno750。预计CPU的性能提升了20%左右，而GPU的性能提升了45%左右。同时，闪存速度也提升到了UFS4.1+LPDDR5、7500Mbps，而上一代是UFS4.0+LPDDR5、7500Mbps，所以提升的空间并不是很大，预计速度提升了15%左右。
骁龙8Gen3芯片所搭载的基带是集成X75，能效提升了20%，而上一代的基带是集成X70。同时，芯片的跑分也曝光出来了，单核为1930分，多核为6236分，而上一代的跑分，单核为1524分、多核为4597分。两代芯片的对比，浮动在500分左右。其实，高通的旗舰芯片，每一代的更新，整体性能的提升都在30%左右，不会有太大的浮动，毕竟后面还有高频版。
目前，最关注的还是芯片的发热状况，经历过骁龙888芯片的机主都知道，尤其是小米11，大面积出现Wi-Fi板块被烧，发热也十分严重。控温、散热，成为每一款新机的重点，经得住边充边玩、炎炎的夏天、长时间玩游戏等。虽然市场上推出了手机外置散热器，但携带不方便，供电也是一个问题，对于经常外出者很不友好，所以手机本身的散热才是重点。
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本文编辑：小生
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