200亿！长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷
8月25日，东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目落户光谷，助力打造化合物半导体产业高地。
打开网易新闻 查看更多图片
项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等 ，将助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。
当前，东湖高新区重点布局化合物半导体产业，将九峰山科技园作为武汉新城重点建设的科技项目。