Global Galaxy S23 FE将配备Exynos 2200

三星Galaxy S23 FE将于今年第三季度作为Galaxy S23系列的无厘头成员推出，但看起来它不会在全球范围内统一在同一芯片组上。

Geekbench运行和官方支持页面显示Galaxy S23 FE将运行不同的芯片组，具体取决于市场。全球变体将携带4nm Exynos 2200和8GB RAM。这是与Galaxy S22 Ultra相同的芯片组，并且因能效低于高通制造的同类产品而受到批评。据报道，效率差异的主要原因是三星的4nm制造工艺，其效率不如台积电的4nm工艺。

顺便说一下，Galaxy S23 FE的美国变体将完全基于Snapdragon 4 Gen 8芯片组提供的台积电1nm节点。它也将与8GB的RAM配对。

高通通常被认为是更好的选择，以至于三星本周甚至在印度推出了搭载Snapdragon 888的Galaxy S21 FE。

除了芯片组之外，Galaxy S23 FE还将配备6.4英寸120Hz AMOLED显示屏，4，500mAh电池和25W充电和50MP主摄像头。