编者按：ASML的EUV光刻机光源取得重大技术升级，包括EUV收集镜寿命超过1年、可用性超过95%、最新光刻机NXE:3600D的单日曝光晶圆数量比2019年增加300%。
2023年伊始，各种国际光刻会议恢复线下活动，光刻领域的精英们开始报告各个领域的前沿进展，那我们一起跟踪一下国际EUV光刻技术的一些进展吧。
ASML的EUV光源发生器开发团队
2023年3月2日，ASML团队在国际光子学会的“高级光刻和图案化”会议上介绍了极紫外EUV光刻光源的最新进展，我们来看一下EUV光刻光源近几年的升级情况。
2023年3月2日，ASML团队在国际光子学会的“高级光刻和图案化”会议上介绍了极紫外EUV光刻光源的最新进展
报告人Karl Umstadter是Cymer的高级工程师，其本行是等离子体物理，曾经研究核聚变等离子体的。
Karl 2013年加入Cymer团队，当时也正是EUV光刻崛起的关键时期，早期参与EUV光源的杂质（Debris）清理系统，目前已经是ASML的高级首席产品系统工程师。
EUV光源发生器的主要功能和寿命提升路径
我们先回顾一下EUV光刻机光源的结构：
1，在ASML的第一代EUV光刻系统（NXE平台），EUV光源的发生器（Source vessel）安装在右下方；给EUV光源的激光器则安装在晶圆厂的下层。
在ASML的第一代EUV光刻系统（NXE平台），EUV光源的发生器安装在右下方
2，在EUV发生器内部，主要进行的是激光脉冲轰击Sn的液滴（Sn droplets），产生的EUV光被收集镜收集聚焦（Collector optics）、并传送到EUV光刻机的光学部分。
由于激光脉冲轰击Sn液滴时，会产生各种杂质（Debris）污染收集镜、导致收集镜的EUV反射率衰减，所以EUV发生器需要定期清理。因此过去十年，Karl团队的主要工作之一就是提升EUV发生器的可用性。
EUV光源发生器的寿命提升
在2017年的时候，EUV收集镜反射率的衰减率大约是每十亿次轰击降低0.4%；到2019年，衰减率降低到0.15%；到2021年，衰减率已经降低到0.04%，最近最好的结果已经小于0.02%，这意味着EUV收集镜寿命可以超过1年。
随着EUV发生器的稳定性提升，EUV发生器的可用性一直的提升：
2019年，ASML报道的EUV发生器的可用性是81%，之后在2020年进行重大改进，一举将可用性提升到91%。之后又在2021年和2022年相继提升到94%和95.5%。
EUV光刻系统生产率大幅提升
随着EUV光刻光源功率和稳定性的提升，EUV光刻机的产能也得到较大幅度的提升，2022年的最新型号NXE:3600D的单日曝光晶圆数量，已经从2019年的1000片左右提升到3000片左右。
根据ASML的技术路线图，在30mJ/cm2的晶圆曝光剂量下，NEX:3600D的生产效率是160 wph（每小时曝光晶圆数），而进一步升级的NEX:3800E和NXE:4000F机台的生产效率是220 wph 和 250 wph，这就依赖于EUV光源功率的进一步提升。
那么近期ASML是如何提升光源功率的呢？我们下次聊。