近日，美国针对中国芯片行业的打压已经从背后直接摆在了明面，特别是美国商务部近期又公开将36家中国科技企业列入贸易实体清单，无疑，这也标志着美国对中国芯片行业的打击力度再一次的升级。
目前，虽然中国已经对美国的举动在世贸组织发起了诉讼，但短期内中国相关企业显然会面临损失。
也正因如此，韩国媒体《亚洲经济》撰文分析，这对于在中美之间夹缝生存的韩国芯片企业来说，无疑是可以争取更大市场份额的利好消息。当然，文章中也提到，美国对中国的芯片政策，也必然会影响到韩国在中国的芯片生产工厂，所以韩国企业也有必要提前制定对策。
据市场研究机构集邦咨询在本月20日发表的消息，美国商务部此次针对了一家总部位于武汉的中国存储芯片制造商，所以各方预测，由于美国的举动，这家行业空头企业可能在2024年后退出3D NAND市场竞争。
因为该企业是一家专注于3D NAND闪存芯片的制造商，也是中国存储芯片行业目前的龙头企业。
虽然该企业成立于2016年，但是在今年第2季度，就已经占据了全球市场份额的3.4%。前不久，更是凭借优势击败了多家韩国企业在内的全球存储芯片行业的“资深玩家”，率先实现了200层以上的3D NAND生产。
此前，该企业因128层NAND闪存良率较低而被质疑技术水平，无疑，此次在短时间内率先试产首批232层NAND闪存，必定令业内刮目相看，并且逐渐会在全球行业具有更高的影响力和竞争力。
可见，也正是因为中国企业的不断进步和发展，所以美国急于将这些企业列入美国商务部贸易黑名单，故意限制类似中国企业从美方合作伙伴处获得设备零件和技术支援。
更气愤地是美国更甩出了中国企业发展和科技创新主要目的是用于国防，甚至认为这对美国造成直接威胁。
无疑，中国芯片企业提供技术停滞将重挫竞争力，所以市场份额将被其他品牌侵蚀，甚至中国企业的业务恐将缩小至仅限中国市场，或退回生产2D闪存芯片，失去扩大全球市场份额的机会。
当然，这也必然会让韩国类似的企业坐收渔翁之利，毕竟，全球NAND闪存市场因需求不振和库存过剩，正遭遇比DRAM更严酷的“寒冬”，借此机会NAND闪存市场供需或趋于稳定，也为韩国企业争取到了更多与竞争对手拉开差距的时间。
但是目前，韩国一些企业在西安、无锡和大连等地也建有工厂，所以美国扩大对中国商业出口禁令，也可能影响韩国企业在中国生产的变数。
尽管美国商务部考虑到或“误伤”在中国外企，给出了相关企业一年的“豁免”。
不难看出，即便韩国企业享有一年时间抓紧改变策略和抢占市场份额，但是长远来看，美国的做法必然会影响全球芯片行业的发展和进步，更是会干扰全球国际贸易。无疑，韩国企业最终也将受到严重影响。