美国的技术条件限制，使得 EUV光刻机无法在中国销售，因此目前的国内的芯片工艺只能在14 nm左右，而7 nm以下的制程，则需要使用 UV光刻技术，才能保证更高的精确度。
这个技术的核心一直掌握在欧美手中，由于制造技术相对复杂，因此对我国的产品形成了严重的垄断和限制，而在当前的技术水平下，要制造出一款高性能的芯片，必然需要使用 CFET技术。
复旦团队在传统的硅基材料上，运用了一种新型的二维原子结构，在 CFET方面取得了突破性的进展，使得我国的半导体设备，真正的摆脱了 EUV技术的桎梏！
芯片发展遭遇限制
在信息时代，芯片的重要性与日俱增，一枚芯片就能决定一个国家的科技水准，所以近年来，芯片产业的发展，必然只要在芯片产业上拥有自己的技术。
台积电是世界上最大的芯片制造商， ASML公司的 EUV光刻机就是他们的功臣，台积电的及时提供技术支援，让他们不断更新光刻机，尽管他们的技术已经达到了他们的标准，但是他们所遇到的问题也会越来越多。
而随着工艺水平的提升，制芯成本也在逐渐提升，3 nm工艺的研发成本已经达到了惊人的5.811亿美元，相比于28 nm芯片，整整提升了10倍以上，但不管技术多么精湛，技术上的每次提升都是有限的，就连苹果的库克也对芯片非常关心。
台积电的情况也差不多，价格一路飙升，28 nm晶圆的价格才3000美元，3 nm的价格就已经超过了2万美元，3 nm的价格也被苹果、英特尔等公司给否决了，因此目前急需新的技术来降低成本。
目前芯片堆叠、芯片芯子等，都是芯片厂商开发出来的一项技术，利用先进的封装技术，将芯片的性能进一步提升，将不同的芯片进行装配，既能保证芯片的性能，又能提高芯片的生产力，解开了当前的燃眉之急。
而中国，因为“弯道超车”，在技术上取得了突破性进展，但因为缺乏 EUV光刻机等关键技术，使得7 nm以下的芯片难以量产，因此只能采用新技术，提升芯片性能，弥补工艺上的不足，却没想到复旦会走“捷径”。
复旦大学的核心技术突破
复旦大学以芯片为基础，研制出了一种能够大幅度提高密度的三维叠层技术，CFET将硅基二次元异质堆叠晶体管技术引入到了传统的硅片制造中，其整体密度是同类器件的两倍以上，其优异的性能可见一斑。
与硅基材料相比，它在原子层次上的精确度更高，因此在狭小的空间中可以很好地控制短程的能力，三种二硫化钼（MoS2）被添加到传统的工艺中，经过一系列的反应，获得了一种非均质 CFET。
而二硫化钼技术与其相容性良好，不仅能避免材料的老化，而且还能降低制造难度，若能推广应用，将会极大地降低芯片成本。
最关键的一点，就是降低了对技术的依赖性，如果性能能够达到目前的需求，也许就不会再有 EUV光刻机的存在， ASML的垄断，也会随之土崩瓦解。
只要 CEFT技术能够普及，28 nm工艺就能满足现在市场需求，从而节约出时间进行下一代技术的研发。