在美中科技战的背景之下，华为将投资重点之一，放在第三代半导体材料。这一方向有助于中国参与国际竞争的脚步，但并不能完全解决中国在美国禁令之下，半导体发展受限的问题。
第三代半导体主要是由碳化硅和氮化镓等材料制成的晶片组，被广泛用于第五代射频晶片、军用雷达和电动汽车中。
由于现在还没有哪个国家能在新兴的第三代技术中占主导地位，因此，中国企业认为，如果研究脚步加快，就有望参与国际上的竞争。
“第三代”半导体无迭代关係
11 月 15 日，华为投资的北京天科合达宣佈成功研制出“8 英寸碳化硅衬底”，这项号称第三代半导体行业中技术难度最高的衬底产品，此前仅有英飞凌、Wolfspeed、意法半导体等少数公司能够掌握。
业者指出，第三代半导体是为了方便发展，所创造的名词，与一、二代半导体之间不存在迭代关係，其应用场景也完全不同。
所谓几代半导体，是以衬底材料作为区分标准。日常生活中接触到形态各异的晶片，是由晶圆切割后封装而成，而晶圆制备包括衬底、外延两大工艺环节，可以简单地理解成衬底是加工一切晶片的基础。
传统意义上，硅基半导体被视为第一代半导体，目前人类社会中 95% 以上的晶片使用的材料仍然是单晶硅，由于材料价格便宜，且产业链十分成熟，短期内硅基半导体的占比不会发生太大变化。
第二代半导体则是由砷化镓、磷化铟材料为代表，这类化合物半导体具有高频、抗辐射等特性，因此被应用在国防、航空航太、卫星通讯等领域。
目前主要用于新能源汽车
第三代半导体的最大优势在于节能，主要应用场景集中在 5G 基站、高铁、太阳能逆变器等领域，目前最被人熟知的应用，则在新能源汽车。
特斯拉是这个应用上，“第一个吃螃蟹”的企业。
中信证券曾在拆解特斯拉 Model 3 的研报中提到，Model 3 採用 48 颗 SiC MOSFET 替代了 84 颗 IGBT（绝缘栅双极型电晶体），使体积、功耗大幅减小，为全车增加了续航这一里程碑式的创新迅速在新能源厂商中传播，一把火点燃了中国的第三代半导体行业。
“特斯拉助推了中国第三代半导体在新能源汽车上的发展。”一位从事多年半导体投资的投资人表示。
华为投注的资本已在减少
不过，目前中国发展第三代半导体产业最显著的特点是，几乎完全是民间资本在驱动，官方少有介入。
业者表示，现阶段第三代半导体产业的发展水准，可能还无法满足华为造车的需求，因此华为暂时停止了对产业的投资。
此外，新能源相关行业的出现虽然为第三代半导体产业创造了崛起的条件，哈勃投资等产业基金的强势进场紧接著又助推了一把，但无论是产业规模还是核心竞争力，中国与国际巨头相比仍有不小的差距。