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行业景气态势——芯片交货期缩短6天，全球电子元件需求继续下行
据彭博社报道，10 月份芯片交货时间缩短了 6 天，这是自 2016 年以来的最大降幅，这也进一步说明电子元件的需求正在迅速下降。根据 Susquehanna Financial Group 的研究，交货时间（从订购芯片到交付芯片之间的时间差）在此期间平均为 25.5 周。一份研究报告表示，现在所有主要产品领域的供货速度都比以往更快，接受调查的70%公司表示能够更快地供应芯片。据Susquehanna称，拥有最大产品范围和客户名单的芯片制造商德州仪器公司10月份的交货时间减少了25天。不过，一些用于汽车的产品的供应仍然受到限制。
行业重大项目建设——天马新型显示模组生产线项目在芜湖正式开工
上海上周举行重点项目签约，18个项目投资总额约300亿元，产业涉及生物医药、集成电路、人工智能、高端设备、生命健康等重点领域。此外，上海还发布了新修订的《上海市鼓励跨国公司设立地区总部的规定》，修订后的版本将新增“事业部总部”类型，并在总部企业支持举措和服务机制两方面做出优化，为跨国公司在上海设立和发展总部企业注入动力。
天马（芜湖）微电子有限公司新型显示模组生产线项目上周正式开工。据了解，该项目总投资为80亿元，生产工序包括E-CELL、邦定、组装、贴合等，建设内容包括生产及辅助设施以及相应的建（构）筑物等。目标市场为6.5-40英寸专业显示模组（包括车载、工业品等）、IT显示模组（包括平板、笔电、显示器等）。
行业产业转移——富士康计划两年内将印度工厂人数增加三倍
据路透社报道，因在中国大陆面临生产中断问题而进行生产调整，苹果供应商富士康计划在两年内将其印度iPhone工厂的员工人数翻两番。到2024年，富士康印度南部工厂的员工人数增加到70,000人。富士康于2019年开设了印度工厂，并一直在提高产量，今年开始生产iPhone14。另据摩根大通分析师估计，到2025年，苹果可能会在印度生产四分之二的iPhone，到2025年，包括Mac、iPad、Apple Watch和AirPods在内的所有苹果产品中，有25%将在中国境外生产，而目前这一比例为5%。
中国A股歌尔股份上周公告，公司近日收到境外某大客户的通知，暂停生产其一款智能声学整机产品。预计影响2022年度营业收入不超过人民币33亿元，约占公司2021年度经审计营业收入的4.2%。因此消息，歌尔股票跌停两天。
行业巨头规划——阿斯麦将提高产能 台积电调整7纳米制程计划
阿斯麦近日表示，该公司计划在2025年到2026年，提高产能，年产90台EUV（极紫外光）光刻机和600台DUV（深紫外光）光刻机，同时，在2027年到2028年，增产20个系统High-NA EUV光刻机。
另外，台积电7纳米制程需求趋缓，因此调整高雄厂7纳米制程建设计划。台积电总裁魏哲家上周表示，高雄厂的7纳米工厂建设仅暂时延后，并不会改变制程，28纳米部分将按进度开展。据称，在台积电的前十大客户中，联发科、AMD、英伟达、Marvell和意法半导体的订单削减幅度大于预期，并推迟了交货日期。台积电7纳米家族产能利用率已跌至50%以下。不过，据彭博社报道，台积电 10月份的销售额增长了56%。
行业人力发展——中美冰火两重天
中芯国际CEO赵海军近日对外透露：中芯国际目前员工规模已经超过2万人。去年这一数值为15000~16000。赵海军表示，公司在研发与管理两方面求贤若渴。他表示，目前各个产线正在开展，公司需要大量的工程人员和管理人员。就在中芯国际等中国半导体硬科技企业大举征才之际，相隔太平洋的美国科技企业则是大举裁人。据目前统计，谷歌、META等总裁员人数达8万之众。
行业国家竞争——日本10家大企业联合成立新的半导体公司
据日媒共同社报道，为了在日本生产用于超级计算机和人工智能（AI）等的下一代半导体，丰田汽车、索尼集团、NTT、软银、NEC、电装、三菱日联银行、铠侠等约10家企业联合成立了一家新公司Rapidus，共同推进技术开发，联合与日本国外市场竞争。据了解，该项目不仅聚焦于研发和生产半导体，还计划将培养支撑半导体产业的人才。据了解，Rapidus旨在大规模生产2纳米制造技术，目前量产产品推进到3纳米。
据路透社报道，由于对所谓国家安全和敏感技术知识外流的担忧，德国政府上周阻止了中国对两家德国半导体生产商的潜在投资。德国政府表示，其已经否决了瑞典Silex对于多特蒙德Elmos公司芯片工厂的收购。而Silex是中国赛微电子集团的子公司。据消息人士称，德国政府还阻止了（中国公司）对位于南部巴伐利亚州的ERS Electronic的投资。
行业技术进展——SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺
SK海力士全球首次在移动端DRAM采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”工艺，成功研发出了LPDDR5X（Low Power Double Data Rate 5X），并于近期开始正式销售。该工艺在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。这款产品可在固态技术协会规定的超低电压范围（1.01~1.12V）内运行，功耗也比上一代产品减少了25%，从而实现了业界最高能效。
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