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集微网消息，据韩联社报道，三星电子3日宣布于2027年量产1.4纳米工艺的芯片。
三星电子在美国硅谷举办的“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”上，三星表示，将基于下一代晶体管结构全环绕栅极（GAA）技术不断创新工艺，计划2025年引进2纳米芯片制造工艺，2027年引进1.4纳米工艺。台积电的3纳米制程已经投入量产，并先后着手研发2纳米、1.4纳米制程。三星1.4纳米芯片量产计划的提出，也意味着与台积电的先进制程竞争也将进一步加剧。
（校对/黎雯静）