最近十多年里，我国的科技正在飞速发展，也涌现了像华为、大疆和科大讯飞等优秀的科技企业。就拿芯片来说，我国华为已经具备强大的设计能力，但不可否认的是，在芯片制造和设计工业软件方面，我们依然被西方牢牢卡住了“脖子”，想要彻底摆脱依赖，就必须做到全产业链的自研！
不过，就从目前的现状来看，我们要实现芯片全面国产化是非常有难度的，因为要自己量产芯片，就必要在光刻机领域取得大突破，然而现在的高端EUV光刻机技术都掌握在ASML手中，而且是几十年研发的结晶，我国想要在短时间内突破至7nm制程都基本无望，更别说5nm和3nm了，所以这条路当前是行不通的。
而华为也正是意识到了这一点，所以就想办法从其他领域来突围，比如说3D芯片堆叠工艺，华为都相继发布过一些专利，根据可靠消息称，目前已经可以通过堆叠工艺来实现等效7nm芯片的性能了，但缺点就是功耗太高，还没有有效应对方案。另外，华为在量子芯片领域也取得了突破，其发布的专利已经能够解决量子芯片生产难度大和良率低的问题，为以后量子芯片产业化打下了基础。
不仅如此，华为在光电芯片领域也研究多年，如今已经掌握了100G光模块技术，还准备投入10亿英镑建设全球研发中心，并招募更多尖端人才来进行研发，这意味着华为在未来的3D芯片堆叠工艺、量子芯片和光电芯片方面都将占据领先地位，而我国突破西方的封锁也是越来越有希望了。
而除了华为之外，南京大学方面最近也传来了一个好消息，那就是在下一代光电芯片制造领域取得了重大突破！其科研团队发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术，这种技术能够实现三维结构的直写和擦除，将尺寸从传统的1微米缩小到了30nm，大大提高了加工精度，可谓是突破了传统飞秒激光的光衍射极限！
当西方听到这则消息的时候，彻底傻眼了，因为它们做梦也没想到，在半导体芯片领域还没将华为和中国打倒，反而刺激了中国在其它芯片领域的快速崛起，关键是目前在这几个领域，我们已经取得重大突破，掌握着领先的技术，这时候它们再想遏制我国芯片的发展，已经来不及了！
此外，光电芯片和传统的硅芯片不同的是，它可以通过超微透镜取代晶体管，以光信号来代替传统的电信号，稳定性和性能上都要比硅芯片更有优势，而且还可以不用光刻机生产，这也大大降低了成本，所以光电芯片在未来很有可能会取代硅芯片！
由此可见，虽然我们如今在硅芯片领域和光刻机领域被西方国家卡着脖子，短时间内也无法突破重重封锁，但我们在能够绕过光刻机的3D堆叠芯片技术、量子芯片和光电芯片这几个领域已经频频突破，甚至已经实现了“换道超车”。关键这些方面我国也是大力支持和鼓励的，所以在未来我们有希望引领新一代芯片革命，彻底打破西方的封锁！中国芯也将让全世界为之震撼！同意的点赞！