近日，成都蓉矽半导体有限公司（以下简称“蓉矽半导体”）完成Pre-A轮融资，由维度资本领投，陕西三元航科投资基金合伙企业（有限合伙）、南京泰华股权投资管理中心（有限合伙）等机构跟投。
2022年6月底，蓉矽半导体发布了其自主开发的超额定电流12倍正向浪涌的碳化硅NovuSiC® EJBS™和175˚C高结温、nA级漏电的理想硅基MCR®二极管系列产品。
其中，NovuSiC®EJBS™在20A时，VF为1.37V，漏电小于2μA，可承受288W的功率、最大26A的电流，为光伏、直流快充等领域带来可靠性要求更高、成本更优的解决方案；MCR®产品具有高温特性稳定、高抗浪涌电流能力等优势，适用于中低压150V~600V应用，在储能电源和LED照明等工业级领域助力提升产品性能、降低功耗。
成都蓉矽半导体有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年，是四川首家专注于第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业，致力于开发世界一流水平的车规级碳化硅器件，产品涵盖碳化硅单管、模组系列和nA级超低漏电的理想二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifiers)。其中NovuSiC® /DuraSiC® 系列的1200V二极管与1200V SiC MOSFET已进入量产，并完成超国际考核标准验证(NovuStandard - AEC-Q1O1+)，性能达国际先进水平，广泛应用于工控电源、工业电机、光伏逆变、储能、充电桩及新能源汽车等领域。
据悉，该公司以车规级碳化硅功率半导体设计开发为主，建立了从原材料、外延、晶圆制造与封装测试全环节符合IATF16949质量管理标准的完整供应链。
蓉矽半导体消息显示，公司拥有一支由中国大陆、中国台湾省、日本以及欧洲碳化硅核心技术人才组成的国际化团队，通过整合台湾省与欧洲先进碳化硅产品开发与制造工艺平台经验，日本车规级功率器件工程开发与质量管理系统、并结合大陆封测、应用方案，着力开发出符合市场应用及贴近客户需求的优质产品，力争实现进口替代的目标。
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