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抢先台积电?传三星将于下周宣布量产3nm工艺

芯智讯

2022-06-22 21:54广东

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6月22日消息,据韩国媒体报道称,三星电子有望于下周宣布 3nm 制程工艺的量产事宜。如果消息属实的话,那么这将意味着三星成功抢在台积电之前量产了3nm工艺。

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在晶圆代工市场,三星一直力图在先进制程的量产进度上超越台积电。去年10月,三星就宣布将抢先台积电在今年上半年量产3nm工艺。同时,为了在技术上也能够超越台积电,三星也率先将全新的GAA(Gate-all-around,环绕栅极)架构引入到了3nm工艺当中。相比之下,台积电的3nm工艺仍延续了此前的FinFET(鳍式场效应晶体管)架构,而量产时间则是在今年下半年。

根据三星此前透露的数据显示,采用GAA晶体管技术的 3nm 制程工艺,与目前FinFET架构的5nm相比,性能将提升 30%,能耗降可低 50%,逻辑面积效率提升超过45%。

不过,今年2月,三星的4nm、3nm先进制程工艺被曝“良率造假”。随后,根据韩国媒体Business Post今年4月的爆料显示,当时今年年初三星4nm工艺良率仅35%,相比之下,台积电4nm制程良率则高达约70%,这也使得高通将改良版的骁龙8+ 交给了台积电4nm代工。而3nm GAA 架构制程的良率今年年初时仅10%~20%。

如果三星真的将于下周宣布 3nm 制程制程工艺的量产的话,那么则意味着三星可能已经解决了良率问题。当然,也并不能完全排除这只是三星在纸面上的抢先宣布。

另外,根据三星的计划,继3nm GAA工艺量产之后,还将在2023年推出第二代 3nm GAA制程工艺,并在 2025 年量产2nm GAA制程工艺。

编辑:芯智讯-浪客剑

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