高通骁龙 5100 系列芯片组将采用 4nm 工艺制造

高通已开始在其旗舰 Snapdragon 8 Gen 1 芯片组中使用 4nm 工艺，现在该公司正准备将这一新工艺用于即将推出的可穿戴设备芯片。

即将推出的 Qualcomm Snapdragon Wear 5100 和 Snapdragon Wear 5100+ 预计将使用 4nm 工艺节点制造，与当前一代芯片相比，这将带来更好的性能。

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对于那些不知道的人，当前一代的 Qualcomm Snapdragon Wear 4100芯片是使用 12nm 工艺节点构建的，而 Snapdragon Wear 3100 是使用 28nm 节点制造的。

三星代工厂将制造这些新芯片，但它们也将被其他智能手机制造商使用，并且不仅限于三星的设备。

值得注意的是，Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1 芯片组也由三星使用新的 4nm 工艺节点制造。

如果要相信这些报告，那么 Wear 5100 和 5100+ 之间的区别就在于包装。Snapdragon Wear 5100 将分离 SoC 和电源管理集成电路 (PMIC)。

另一方面，Snapdragon Wear 5100+ 将采用所谓的模塑嵌入式封装 (MEP)，所有东西都封装在一起。据说它还拥有来自ARM的心率和跌倒检测技术，并提供改进的触觉。

据说这两种变体都有四个运行频率为 1.7GHz 的 Cortex-A53 内核以及运行频率为 700MHz的 Adreno 702图形处理器。它们将支持高达 4GB 的 LPDDR4X RAM 和 eMMC 5.1 存储。

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