NVIDIA自研5nm CPU明年问世
近几日，NVIDIA及软银宣布放弃收购ARM一事，这笔价值660亿美元的史上最大规模的半导体交易算是黄了，虽然这多少会影响NVIDIA掌控CPU的努力，不过交易失败对他们并没有严重影响。
在收购ARM的一年半事件中，NVIDIA的市值从3000亿提升到了6000多亿美元，一跃成为美国市值最大的半导体公司，实力大增，赔偿给ARM公司12.5亿美元的违约费只是九牛一毛。
在这次收购失败之后，NVIDIA创始人、CEO黄仁勋也对媒体表示，就算没有收购成ARM，NVIDIA也可以在没有ARM的情况下实现公司的所有希望和梦想。
黄仁勋没有明确NVIDIA接下来怎么做，不过有一点可以确定，NVIDIA还会继续支持ARM架构，去年GTC大会上推出了自研的5nm工艺ARM架构高性能处理器“Grace”，基于ARM Neoverse架构，搭配LPDDR5X内存带宽超500GB/s，支持ECC，通过NVLink总线连接自家GPU，带宽超过900GB/s，同时两颗CPU之间的带宽超过600GB/s。
NVIDIA Grace处理器将在2023年正式推出，并且正在和欧洲共同打造号称世界最快AI超算的“ALPS”(阿尔卑斯山)，算力高达20ExaFlops(每秒2千亿亿次计算)。
华为麒麟9000成2021用户最爱5G旗舰芯片
据华为麒麟官方消息，麒麟9000斩获通信世界颁发的“2021年度最受用户喜爱5G旗舰芯片”奖项。
华为方面表示，在芯片领域竞争激烈的2021年，麒麟9000能够荣获此殊荣，成为最受用户喜爱的旗舰5G芯片，离不开广大用户长期以来对于麒麟9000的支持与认可。
官方截取的网友评论中，大家留言“麒麟芯片是华为的技术、是中国科技的进步”“麒麟9000 YYDS”“麒麟9000一代打三代，期待凤凰涅槃”。
据华为介绍，强悍的性能优势是麒麟9000获得奖项和好评的“底气”。麒麟9000采用全球顶级5nm工艺制程，集成153亿晶体管，升级Cortex-A77 CPU，大核主频突破3.1GHz，爆发性能实力。AI单元升级达芬奇架构2.0 NPU，双大核加持，影像方面升级Kirin ISP 6.0，业界首次实现ISP+NPU融合架构，具备实时包围曝光HDR视频合成能力，手机拍摄暗光和逆光视频更清晰。
高通骁龙8cx Gen3跑分泄露
2月11日消息，搭载高通骁龙8cx Gen3的微软Surface设备现身Geekbench跑分网站，这款Surface设备可能会命名为Surface Pro X2，是微软基于ARM平台打造的新品。
Geekbench显示，高通骁龙8cx Gen3的单核成绩为1005，多核成绩为5574，其中单核成绩与搭载英特尔酷睿i5-1035G4的Surface Pro 7跑分相当，后者单核成绩为1085分。
多核成绩与英特尔酷睿i7-1185G7和AMD锐龙7 5800U相当，后两者的分数分别是5518和5524。
值得注意的是，Geekbench仅仅测试了CPU的单核和多核成绩，并不能反映骁龙8cx Gen3的全貌。
据悉，搭载高通骁龙8cx Gen3的设备将在世界移动通信大会上陆续亮相，微软Surface Pro X2可能要晚些时候才会发布。
AMD工程师泄密RX 7000显卡
2022年值得期待的AMD新产品除了5nm Zen4架构的锐龙7000处理器之外，还有RDNA3架构的RX 7000系列显卡，日前AMD的一位工程师不小心在履历中泄密，坐实了RDNA3架构会用上MCM多芯片封装。
泄密的这个工程师在AMD从事Infinity Data Fabric硅设计，当前正在做的一些项目无意中被截图泄露到网上，虽然很快被删除了，但依然确认了不少爆料。
对玩家来说最重要的就是Navi3X系列的GPU核心，有Navi 31、Navi 32及Navi 33三款，其中前两款是5nm+6nm工艺，Navi 33核心则是6nm工艺。这就意味着RX 7000系列中的高端显卡会使用MCM多芯片封装，5nm工艺的显然是计算核心，6nm工艺的则用于IO核心，而Navi 33核心定位更低，不用多芯片封装，直接就是6nm工艺。
Navi 31应该会用于RX 7900旗舰系列显卡，此前传闻它会集成多达15360个流处理器(ALU单元)、512MB无限缓存，分别是现在Navi 21核心的三倍、四倍，搭配256-bit GDDR6位宽，核心频率可达2.4GHz到2.5GHz，FP32浮点性能可达75TFLOPS，性能比RX 6900 XT提升200%以上。
当然，2-3倍的性能代价也不小，Navi 31核心面积将达到800mm²，而且功耗会超过400W，毕竟性能越高，功耗就低不了。
realme首款150W快充手机曝光
今天，据数码博主爆料，搭载150W超级闪充的新机已在路上，而且realme会为其标配160W充电器，这是迄今为止快充功率最高的手机。
目前市面上的高端旗舰最高支持120W超级闪充，15分钟可以充满4500mAh电池。即将发布的红魔7 Pro支持135W超级闪充，15分钟可以充满5000mAh大电池。
如今手机快充即将迎来新记录，realme 150W超级闪充将会用更短的时间内充满手机电池。
作为对比，iPhone 13 Pro Max用苹果96W PD充电器充电，30分钟仅能充入48%的电量。相比之下，realme的充电速度可谓是碾压式的优势。
目前尚不确定realme 150W新机的具体细节，考虑到百瓦级超级快充技术大部分都是高端旗舰使用，因此150W闪充可能会被应用到realme旗舰手机上。
铠侠6.5EB闪存芯片被污染致Q2季度价格生变
日前，铠侠及西数位于日本的NAND闪存工厂爆发污染事故，导致6.5EB容量的闪存芯片受到影响，这一黑天鹅事件给全球闪存行业带来了不确定性，原本价格还在下滑，但是最新预测称Q2季度闪存价格将会转向上涨5-10%。
来自集邦科技的分析认为，原本NAND闪存全年都有微幅的供过于求压力，今年上半年价格都有下滑压力，但是现在的情况变了，1月份三星位于西安的工厂受到疫情影响，2月份这又曝出铠侠、西数闪存芯片受污染的事故。
集邦科技认为在当前的情况下，Q1季度闪存芯片价格跌幅会收窄到5-10%，而Q2季度价格则会反转，变成涨价5-10%，比预期更早开始止跌反弹。
至于为何出现这么大的影响，主要是西数、铠侠的闪存影响太大了，二者合计占了全球32%的闪存产能，这次被污染的闪存预计有6.5EB，约占工厂Q1季度产能的13%，全球产能的3%，而且这还是初步的，后续损失应该会扩大，所以对供应量影响是非常大的。
此外，每次出现这种重大意外事故，渠道及厂商也会闻风而动，现货价格很快就会上扬，预计未来几天就能看到闪存及SSD硬盘市场上的波动。