本文系基于公开资料撰写，仅作为信息交流之用，不构成任何投资建议。
最近一个时期，半导体的行情不太好，组合里的股票也是各种姿势地下跌。原因很多，产能和业绩算是相对重要的两点：
1）如果业绩好，担心更长维度的业绩增速的持续性；
2）如果业绩不好，为什么不等利空释放再上车呢？
市场的变化总是难以预测，情绪好的时候，预期一步到位，股价反映未来3-5年的业绩；情绪差的时候，又特别斤斤计较短期利润的兑现；通俗一点，市场预期了你的预期。
再说士兰微(SH：600460) ，市场的担忧主要集中在Mos降价和IGBT被碳化硅替代。
Mos降价的事，虽然我说过很多次，平面和低压Mos降了，但超结Mos价格很坚挺，而且放量很快，对业绩的影响，要看平面Mos的收入占比。
士兰2021年大概33%的收入是Mos，其中超结Mos占比已经超过50%，所以平面Mos对士兰的影响会越来越小。
举个例子，五菱宏光刚开始只在充电OBC使用士兰的超结Mos，现在电驱也开始用士兰超结Mos替代英飞凌，用量大幅提高。士兰超结Mos已经做到国内第一，未来2-3年会继续放量增长，抵消平面Mos降价对业绩的影响。
另外，现阶段SiC受制于晶体生长速度，扩产缓慢，衬底制造的良率还不高，相同性能的价格是IGBT的3倍，经济性不好；只有OBC快充恰好解决电动车里程焦虑的问题，因此迫切性很高，而且SiC快充解决了里程焦虑，为什么还要用更贵的SiC去提高续航里程呢？
未来10年，SiC的成本很难降下来，各种理想化的情况成本也是硅基的1.5倍，SiC不可能彻底替代IGBT或者MOS，就像IGBT也没有彻底替代Mos。
所以，SiC和IGBT还会共存很长时间，IGBT仍会是电驱里的主力芯片，在光伏逆变器的地位也会差不多。
IGBT供应缺口。从产业链调研反馈看，主要厂商的IGBT供应只能满足7-8成，今年电动车仍将快速增长，所以缺口很难缩小，最快也要到2023年下半年。
需要坦然面对的是：碳化硅会压制IGBT的估值，很难像过去两年那样，100倍甚至更高的PE。科技公司必须持续研发，犹如逆水行舟，不进则退。
士兰微的优势是产品矩阵丰富，Mos、PMIC、IPM、Mems、SBD、IGBT等都很强，平台型企业，抚平单一产品的波动对业绩的影响，未来2-3年的成长性仍能保持。
业绩方面：预计士兰21Q4收入>20亿，净利润约3.3亿，产品线升级，毛利率提高，环比略有增长。2022年预计净利润16-20亿，产品线仍是核心动力。
催化剂：士兰在功率半导体的产品线很齐全，如果补齐SiC就完美了，就能拔一波估值，否则只能赚EPS的钱，或许还要等到下半年吧。（赤焰永明）