三星电子2022上半年量产3纳米芯片紧追台积电

打开网易新闻 查看更多图片

韩国三星电子正式宣布，由公司研发的3纳米芯片的量产时间提前至2022上半年，2025年量产2纳米芯片。分析称，三星电子此举希望借自身拥有的芯片研发能力超越台积电，掌握代工（委托生产）市场话语权。

三星电子7日线上举行"2021芯片代工论坛"，并发布包含上述内容的路线图。

目前，全球最顶端的芯片制作已成功发展至5纳米，但全球可完成5纳米芯片量产的企业仅三星电子和台积电两家，并都向3纳米芯片制程买进。代工制程越精细，对企业的技术水平要求更高。

三星电子曾表示，采用全环绕栅极架构（Gate-All-Around FET，GAA）的3纳米芯片计划2022年下半年量产。但本届论坛上，公司出其不意地将量产时间提前至上半年。

有声音指出，三星电子此举有望拉进与台积电的距离，苹果、谷歌、英特尔等尖端芯片订单竞争将更加激烈。

与5纳米芯片相比，三星电子采用GAA技术研发的3纳米芯片，性能较前者提高30%，电力消耗减少50%，芯片面积减少35%。

此外，三星电子还在论坛上表示，将于2025年量产2纳米芯片。这是公司首次对外公布2纳米芯片的量产时间。