集微网消息，国家知识产权局消息显示，中芯国际“单扩散隔断结构的制造方法和半导体器件的制造方法”专利获授权，授权公告日为7月30日。该专利申请号为2018105701491，授权公告号为CN110571193B 。

据悉，专利权人包括中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司。

打开网易新闻 查看更多图片

图片来源：国知局

专利摘要显示，本发明提供一种单扩散隔断结构的制造方法和半导体器件的制造方法，是一种自对准工艺方法，先在目标刻蚀层上形成具有埋置结构的层间介质层，然后去除所述埋置结构以在所述埋置结构的位置形成对准沟槽，和/或，去除两个所述埋置结构之间的区域以形成对准沟槽，之后刻蚀对准沟槽底部的目标刻蚀层，以在所述目标刻蚀层中形成与所述对准沟槽自对准的隔断沟槽，之后形成填充于所述隔断沟槽中的单扩散隔断结构。

显然，本发明利用埋置结构能够限制和保证形成的对准沟槽的关键尺寸，避免将光刻图案向层间介质层中转移来形成对准沟槽时引起的关键尺寸偏差，进而保证最终形成的单扩散隔断结构的关键尺寸，同时降低了工艺要求，改善了最终形成的器件的性能。（校对/若冰）